半導体発光装置

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	半導体発光装置
其他题名	半導体発光装置
	田中俊明; 比留間健之; 濱田博
	1999-10-08
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1999-10-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】本発明は、光情報処理或いは光通信システム用途において、高出力特性と同時に低閾値高効率動作を確保できる半導体発光装置を提供することが課題である。【解決手段】半導体結晶の均質性を向上させるために使用する傾角基板上に、さらに超格子構造を導入することにより量子井戸構造の平坦性や界面急峻性を改善させた活性層構造とする。また、量子井戸構造の設計裕度をもたせることにより、キャリア閉じ込め及び光閉じ込めを向上させた構成とする。【効果】本発明の実施例によると、本手法を適用しない素子に比べて閾値電流及びスロープ効率ともに20〜30%改善でき、窓構造を設けない素子に比べて最高光出力を2.5から4倍にまで向上した高出力特性を達成した半導体レーザ素子を実現した。
其他摘要	要解决的问题：通过在半导体倾斜基板上形成光波导层和夹层发光有源层的异质结结构并至少在半导体上形成多周期超晶格薄膜层，以高输出特性实现低阈值的高效率操作发射活性层的下侧。解决方案：n型GaAs黄油层2，n型AlGaInP光波导层3，超晶格薄膜层4，多量子阱结构有源层5，P型AlGaInP光波导层6，p-通过有机金属VPE在倾斜基板1上依次外延生长AlGaInP蚀刻停止层7，p型AlGaInP光波导层8和p型GaInP层9。超晶格周期性薄膜层4和多量子阱结构有源层5以能带结构形成。由于超晶格周期性薄膜层至少形成在有源层的下侧，所以在倾斜基板上抑制了台阶聚束，导致量子阱层的平面性和界面陡度的增强。
申请日期	1998-03-19
专利号	JP1999274635A
专利状态	失效
申请号	JP1998069726
公开（公告）号	JP1999274635A
IPC 分类号	H01S5/32 \| H01S5/34 \| H01S5/00 \| H01S5/20 \| H01S5/16 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88939
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	田中俊明,比留間健之,濱田博. 半導体発光装置. JP1999274635A[P]. 1999-10-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999274635A.PDF（57KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文