Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 波多野 吾紅; 泉谷 敏英; 大場 康夫 | |
| 1998-09-11 | |
| 专利权人 | TOSHIBA CORP |
| 公开日期 | 1998-09-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 新しいIII-V族系の化合物半導体材料を用いた短波長の半導体レーザを実現する。 【解決手段】 pn接合を有する半導体レーザにおいて、n型GaP基板11上に、発光層15をGaAlN系材料からなるp型及びn型のクラッド層14,16で挟んだダブルへテロ構造部が形成され、このダブルヘテロ構造部のp型クラッド層16上にGaN系材料からなる電流阻止層91が形成されている。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过在由GaAlN材料构成并具有双异质结构的p型覆层上形成由GaN材料构成的电流阻挡层来获得使用新的III-V族化合物半导体材料的半导体激光器。解决方案：通过连续形成n型GaP缓冲层12，n型BP缓冲层13，由n型GaAlN / BP超晶格层构成的包层，形成有源层15，形成双异质结部分在n型GaP衬底11上形成未掺杂的GaAlN / BP超晶格层和由p型GaAlN / BP超晶格层构成的包层16.然后在包层上形成n型BP电流阻挡层17除了中心部分的条状部分之外的层16和在电流阻挡层17和p型覆层16上形成p型BP接触层18.此外，在p侧金属电极19上形成p侧金属电极19。接触层18的表面和n侧金属电极20形成在基板11上。 |
| 申请日期 | 1989-04-28 |
| 专利号 | JP1998242567A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998093717 |
| 公开（公告）号 | JP1998242567A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 (外6名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88910 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 波多野 吾紅,泉谷 敏英,大場 康夫. 半導体レーザ. JP1998242567A[P]. 1998-09-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998242567A.PDF（93KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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