Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 発光素子 | |
| 其他题名 | 発光素子 |
| 重田 淳二; 篠田 和典 | |
| 2000-09-22 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 2000-09-22 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】大出力発光素子の放熱特性を改善し、出力特性を改善する。従来は表面電極は発熱部に近いが、裏面電極は基板裏面に形成されるため発熱部から遠く、放熱への寄与が少なかった。 【解決手段】半導体基板1にエピタキシャル成長層2〜7を形成し、その上下に上面電極8及び裏面電極9を設けた半導体レーザにおいて、少なくとも成長層のの発熱領域10に対応する部分の裏面電極9を半導体基板1を通過して成長層2に届く位置に形成する。 【効果】発熱で制限されていた最大光出力を改善出来る。また実装の容易なジャンクションアップ法でもジャンクションダウン法と同等の放熱が得られる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种发光元件，其具有这样的电极结构，当采用结合方法并且具有相同的热辐射特性时，获得的热辐射特性高于通过传统的结合方法获得的热辐射特性。即使采用结合方法，也可通过结合法获得。解决方案：在通过在半导体衬底1上形成外延生长层2-7并分别在最上层7和衬底1下方提供上表面电极8和后表面电极而构成的半导体激光器中，后表面电极9形成为使得对应于层2-7的发热区域10的电极9的至少一部分通过基板1与层2接触。因此，最大光输出为可以改善可以通过发热来限制的半导体激光器。另外，即使在使用更容易安装的结合方法时，也可以获得与通过传统的结合法获得的热辐射特性相当的热辐射特性。 |
| 申请日期 | 1999-03-05 |
| 专利号 | JP2000261088A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999058024 |
| 公开（公告）号 | JP2000261088A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 高橋 明夫 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88908 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 重田 淳二,篠田 和典. 発光素子. JP2000261088A[P]. 2000-09-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000261088A.PDF（56KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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