Semiconductor laser device

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	Semiconductor laser device
其他题名	Semiconductor laser device
	SHIBUYA TAKAO; ITO KUNIO
	1987-02-24
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1987-02-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To suppress multiplication of crystal defects and avoid deterioration of a laser and at the same time improve reliability in the high temperature operation by a method wherein not only an impurity which contributes to electric conduction but also an impurity which does not contribute to electric conduction is contained in an active layer which composes a semiconductor laser device. CONSTITUTION:An N-type GaAs blocing layer 2, the first P-type Al0.5Ga0.5As cladding layer 3, a nondoped Al0.1Ga0.9As active layer 4 and the second N-type Al0.5Ga0.5As cladding layer 5 are made to grow on a P-type GaAs substrate 1 by liquid phase epitaxial growth and the whole surface is covered with an N-type GaAs contact layer 6 to compose a semiconductor laser. In this constitution, although the active layer 4 is the nondoped Al0.1Ga0.9As layer, Cu, which has no contribution to electric conduction, is contained in the layer 4 with the concentration of 2X10/cm. This non-contributing element may be Fe, Ca or the like other than Cu. With this constitution, internal multiplication of crystal defects are minimized and the reliability, especially in high temperature operation, can be improved.
其他摘要	目的：抑制晶体缺陷的增加，避免激光器的劣化，同时通过一种方法提高高温操作的可靠性，其方法不仅是有助于导电的杂质，还有对导电无贡献的杂质。包含在构成半导体激光器件的有源层中。组成：N型GaAs点层2，第一个P型Al0.5Ga0.5As包层3，非掺杂Al0.1Ga0.9As有源层4和第二个N型Al0.5Ga0.5As包层5通过液相外延生长使其在P型GaAs衬底1上生长，并且整个表面覆盖有N型GaAs接触层6以构成半导体激光器。在这种结构中，尽管有源层4是未掺杂的Al0.1Ga0.9As层，但是对于电导率没有贡献的Cu包含在层4中，浓度为2×1016 / cm3。该非贡献元素可以是除Cu以外的Fe，Ca等。利用这种结构，晶体缺陷的内部倍增被最小化，并且可以提高可靠性，特别是在高温操作中。
申请日期	1985-08-20
专利号	JP1987042591A
专利状态	失效
申请号	JP1985182052
公开（公告）号	JP1987042591A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88907
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	SHIBUYA TAKAO,ITO KUNIO. Semiconductor laser device. JP1987042591A[P]. 1987-02-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1987042591A.PDF（183KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文