Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 白石 誠司 | |
| 1997-12-12 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1997-12-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 p型の基板の上に格子歪みのない活性層を形成することにより特性を向上させることができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 p型のInP混晶により形成した基板1の上にIII-V族バッファ層2およびII-VI族バッファ層3を介してII-VI族化合物半導体よりなる第1導電型クラッド層4,活性層5および第2導電型クラッド層6が順次積層されている。III-V族バッファ層2はGaInP混晶よりなるIII-V族半導体層2aと、AlInP混晶よりなるIII-V族半導体層2bとにより構成されている。II-VI族バッファ層3はZnSe混晶よりなるII-VI族半導体層と、ZnSSe混晶よりなるII-VI族半導体層とにより構成されている。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过在p型衬底上形成没有晶格应变的有源层来提供具有更好特性的半导体发光元件。解决方案：在由p型InP混晶构成的基板1上，依次层叠由II-VI化合物半导体，有源层5和第二导电型包层6构成的第一导电型包层4。 III-V族缓冲层2和介于其间的II-VI族缓冲层3。 III-V族缓冲层2由由GaInP混晶构成的III-V半导体层2a和由AlInP混晶构成的III-V半导体层2b构成。 II-VI族缓冲层3由ZnSe混晶构成的II-VI半导体层和ZnSSe混晶构成的II-VI半导体层构成。 |
| 申请日期 | 1996-05-27 |
| 专利号 | JP1997321387A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996152894 |
| 公开（公告）号 | JP1997321387A |
| IPC 分类号 | H01L21/203 | H01L21/205 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 藤島 洋一郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88843 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 白石 誠司. 半導体発光素子. JP1997321387A[P]. 1997-12-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997321387A.PDF（73KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [白石 誠司]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [白石 誠司]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [白石 誠司]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论