Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 面発光型半導体レーザ | |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ |
| 石川 徹; 茨木 晃; 古沢 浩太郎 | |
| 1999-08-06 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 1999-10-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To provide a surface light emitting type semiconductor laser in which a current injection can be performed efficiently to an active region. CONSTITUTION:A p-type GaAlAs layer 23, a p-type GaAlAs layer 25 are laminated on a buried part including an active layer 4, and a p-type GaAlAs layer 23, an n-type GaAlAs layer 24, a p-type GaAlAs layer 25 are laminated on a buried part having a current narrowing function. A current from an electrode 12, a contact layer 11 flows only in a current passage directly on the layer 4, and is effectively injected in the layer 4 without leakage to the buried part. |
| 其他摘要 | 目的：提供一种表面发光型半导体激光器，其中可以有效地对有源区进行电流注入。组成：p型GaAlAs层23，p型GaAlAs层25层叠在包括有源层4的掩埋部分，和p型GaAlAs层23，n型GaAlAs层24，p型GaAlAs层25层叠在具有电流变窄功能的掩埋部分上。来自电极12的电流，接触层11仅在直接在层4上的电流通道中流动，并且有效地注入层4中而不会泄漏到掩埋部分。 |
| 申请日期 | 1991-06-19 |
| 专利号 | JP2962881B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991176112 |
| 公开（公告）号 | JP2962881B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S5/183 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 河野 登夫 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88836 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 徹,茨木 晃,古沢 浩太郎. 面発光型半導体レーザ. JP2962881B2[P]. 1999-08-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2962881B2.PDF（28KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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