Manufacture of semiconductor light-emitting element

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	Manufacture of semiconductor light-emitting element
其他题名	Manufacture of semiconductor light-emitting element
	KUSUKI TOSHIHIRO; OKAZAKI JIRO
	1986-07-30
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1986-07-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To prevent electric current control function at a P-N reverse bonding unit from damaging by a method wherein a P-layer is provided between a P-layer and an (N) layer at the stage of forming a buried layer of BH type (buried hetero type) semiconductor laser. CONSTITUTION:A non-doped InGaAsP active layer 2 and P-InP layer are 3 laminated on an N-InP substrate 1 and a stripe unit DH (double hetero) constitution is formed performing mesa-etching. A P-InP 4, an N-InP 5, a P-InP 7 and a P-InP 6 are subjected to grow by means of liquid-phase epitaxial growth method. Diffusion of dopant Zn is absorbed by the third layer P-InP 7 at the time of the fourth layer growth by means of laminating the third layer P-InP 7 on the secondary N-InP 5, and diffusion to the secondary N-InP 5 is prevented, then an electric control layer which is N-P reverse-bonding is not damaged.
其他摘要	用途：防止PN反向键合单元的电流控制功能通过在形成掩埋的阶段在P +层和（N）层之间提供P - 层的方法来防止损坏BH型（掩埋异型）半导体激光器层。组成：在N-InP衬底1上层叠未掺杂的InGaAsP有源层2和P-InP层，并执行台面蚀刻形成条带单元DH（双异质）构造。通过液相外延生长方法使P-InP 4，N-InP 5，P - InP 7和P + -InP 6生长。通过在第二层N-InP 5上层叠第三层P - > InP 7，并且扩散到第四层，在第四层生长时第三层P - > InP 7吸收掺杂剂Zn的扩散。如果防止二次N-InP 5，则不会损坏NP反向键合的电控制层。
申请日期	1985-01-22
专利号	JP1986168986A
专利状态	失效
申请号	JP1985010613
公开（公告）号	JP1986168986A
IPC 分类号	H01L21/208 \| H01L33/14 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88831
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	KUSUKI TOSHIHIRO,OKAZAKI JIRO. Manufacture of semiconductor light-emitting element. JP1986168986A[P]. 1986-07-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986168986A.PDF（174KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文