窒化物系化合物半導体の成長方法およびその発光素子

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	窒化物系化合物半導体の成長方法およびその発光素子
其他题名	窒化物系化合物半導体の成長方法およびその発光素子
	内田憲治; 丹羽敦子; 後藤順; 河田雅彦; 皆川重量
	1998-12-18
专利权人	HITACHI LTD
公开日期	1998-12-18
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【解決手段】第1の手段として、サファイア基板1結晶表面を反応性イオンエッチング処理し、その後窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長する。第2の手段として、これら窒化物系化合物半導体層は、(AlxGa1-x)InyN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1)とする。そして第3、4の手段として、これら基板上に形成した窒化物系化合物半導体層は、発光ダイオードまたはレーザダイオード素子構造とする。【効果】反応性イオンを用いてエッチングしたサファイア基板上に結晶成長することでエピタキシャル膜中の残留歪みが低減された高品質な窒化物系化合物半導体発光素子構造を作製できる。この結果、紫外領域から可視領域に対応する高品質な(AlxGa1-x)InyN系窒化物系化合物半導体発光ダイオードおよびレーザ素子構造を実現することができる。
其他摘要	要解决的问题：通过反应蚀刻方法在衬底上外延生长氮化物系化合物半导体来减少外延膜中的残余应变。解决方案：首先，n-GaN接触层3，n-GaN覆层4，未开口多量子阱结构有源层10和p-GaN覆层6有序地在GaN缓冲层2上生长，该GaN缓冲层2是然后，在p-GaN包覆层6上形成蚀刻掩模，并且通过蚀刻保持在0.3μm厚度的p-GaN包覆层6来形成波导路径结构11。之后，通过使用蚀刻掩模作为用于选择性生长的掩模，使n-GaN电流窄化层12选择性地生长。之后，去除蚀刻掩模，并在p-GaN接触层7中进行掩埋生长。并且对n-GaN接触层3的一部分，p侧电极8和n侧进行蚀刻。形成电极9，然后通过解理方法形成谐振器以制成芯片。
申请日期	1997-06-03
专利号	JP1998335702A
专利状态	失效
申请号	JP1997144915
公开（公告）号	JP1998335702A
IPC 分类号	H01L21/20 \| H01S5/323 \| H01L33/16 \| H01L33/12 \| C30B29/38 \| H01L33/14 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88802
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	内田憲治,丹羽敦子,後藤順,等. 窒化物系化合物半導体の成長方法およびその発光素子. JP1998335702A[P]. 1998-12-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998335702A.PDF（34KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文