Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	YAMAMOTO SUNAO; IKEDA MASAO
	1989-07-11
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	1989-07-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To suppress abnormal diffusion to the active layer of impurities and prevent the deterioration in the quality of the active layer, by setting impurity concentration in a current bottleneck layer to a specified value in a semiconductor laser where the current bottleneck layer is formed on one of the clad layers in a double hetero structure. CONSTITUTION:A buffer layer 2, an n-type clad layer 3, an active layer 4, a p-type clad layer 5, a cap layer 8, and an n-type GaAs layer are formed by epitaxial growth in order on a substrate Then, the center part of the n-type GaAs layer is removed selectively in the form of a stripe to form an n-type GaAs current bottleneck layer 1 After that, the p-type GaAs cap layer 8 is formed to obtain a semiconductor laser 12. Abnormal diffusion of a p-type impurity Zn from the clad layer 5 to the active layer 4 is suppressed by setting the impurity concentration of the n-type GaAs current bottleneck layer 11 to less than 2.0X10cm and the superior active layer 4 is maintained. Thus, the internal current bottleneck type high grade semiconductor laser exhibiting a good character is obtained.
其他摘要	用途：通过将当前瓶颈层中的杂质浓度设定为半导体激光器中的特定值，抑制异常扩散到杂质活性层并防止有源层质量下降，其中当前瓶颈层形成于一个双异质结构中的包层。组成：缓冲层2，n型覆层3，有源层4，p型覆层5，帽层8和n型GaAs层通过在衬底上依次外延生长形成然后，以条纹的形式选择性地去除n型GaAs层的中心部分，以形成n型GaAs电流瓶颈层1之后，形成p型GaAs盖层8以获得半导体激光器12.通过将n型GaAs电流瓶颈层11的杂质浓度设定为小于2.0×10 18 cm，抑制了p型杂质Zn从包层5到有源层4的异常扩散。<-3>并保持上有源层4。因此，获得了具有良好特性的内部电流瓶颈型高级半导体激光器。
申请日期	1987-12-28
专利号	JP1989175290A
专利状态	失效
申请号	JP1987336060
公开（公告）号	JP1989175290A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88774
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	YAMAMOTO SUNAO,IKEDA MASAO. Semiconductor laser. JP1989175290A[P]. 1989-07-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1989175290A.PDF（191KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文