Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor laser | |
其他题名 | Semiconductor laser |
YAMAMOTO SUNAO; IKEDA MASAO | |
1989-07-11 | |
专利权人 | ソニー株式会社 |
公开日期 | 1989-07-11 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To suppress abnormal diffusion to the active layer of impurities and prevent the deterioration in the quality of the active layer, by setting impurity concentration in a current bottleneck layer to a specified value in a semiconductor laser where the current bottleneck layer is formed on one of the clad layers in a double hetero structure. CONSTITUTION:A buffer layer 2, an n-type clad layer 3, an active layer 4, a p-type clad layer 5, a cap layer 8, and an n-type GaAs layer are formed by epitaxial growth in order on a substrate Then, the center part of the n-type GaAs layer is removed selectively in the form of a stripe to form an n-type GaAs current bottleneck layer 1 After that, the p-type GaAs cap layer 8 is formed to obtain a semiconductor laser 12. Abnormal diffusion of a p-type impurity Zn from the clad layer 5 to the active layer 4 is suppressed by setting the impurity concentration of the n-type GaAs current bottleneck layer 11 to less than 2.0X10cm and the superior active layer 4 is maintained. Thus, the internal current bottleneck type high grade semiconductor laser exhibiting a good character is obtained. |
其他摘要 | 用途:通过将当前瓶颈层中的杂质浓度设定为半导体激光器中的特定值,抑制异常扩散到杂质活性层并防止有源层质量下降,其中当前瓶颈层形成于一个双异质结构中的包层。组成:缓冲层2,n型覆层3,有源层4,p型覆层5,帽层8和n型GaAs层通过在衬底上依次外延生长形成然后,以条纹的形式选择性地去除n型GaAs层的中心部分,以形成n型GaAs电流瓶颈层1之后,形成p型GaAs盖层8以获得半导体激光器12.通过将n型GaAs电流瓶颈层11的杂质浓度设定为小于2.0×10 18 cm,抑制了p型杂质Zn从包层5到有源层4的异常扩散。<-3>并保持上有源层4。因此,获得了具有良好特性的内部电流瓶颈型高级半导体激光器。 |
申请日期 | 1987-12-28 |
专利号 | JP1989175290A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1987336060 |
公开(公告)号 | JP1989175290A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88774 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | ソニー株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | YAMAMOTO SUNAO,IKEDA MASAO. Semiconductor laser. JP1989175290A[P]. 1989-07-11. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1989175290A.PDF(191KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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