半導体レーザ素子

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	半導体レーザ素子
其他题名	半導体レーザ素子
	坂根千登勢; 瀧口治久; 工藤裕章; 菅原聰
	1998-07-24
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	1998-09-30
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To prevent a diffraction grating from being corroded by a meltback operation and to surely obtain a single longitudinal mode by a method wherein a semiconductor compound is grown at high speed on the diffraction grating by using a solution in an oversaturated state. CONSTITUTION:A mixed crystal ratio of an In1-xGaxAsyP1-y diffraction grating formation layer 15 satisfies 0.68<=x<=1, 0.34<=y<=1 and y=2.04x-04; a mixed crystal ratio of an n-type AlzGa1-zAs channel formation layer 16 laminated on each side part on the layer 15 is set within a range of 0<=z<=0.5. Accordingly, when a stripe-shaped channel is formed down to the layer 15 in the central part of the layer 16, an oxide film is formed on the surface of the layer 16; when a clad layer 17 is grown by a liquid epitaxial method, a growth speed of a crystal which is grown on the layer 16 becomes slow when its growth is started. As a result, a solution of a crystal which is grown on the layer 15 easily becomes an oversaturated state; a growth speed of the crystal becomes fast. Thereby, diffraction gratings 15a, 16a on the layer 15 are not corroded by a meltback operation; a single longitudinal-mode oscillation can be obtained surely.
其他摘要	目的：为了防止衍射光栅被回熔操作腐蚀，并通过使用过饱和状态的溶液在衍射光栅上高速生长半导体化合物的方法，确保获得单纵模。组成：In1-xGaxAsyP1-y衍射光栅形成层15的混晶比满足0.68 <= x <= 1,0.44 <= y <= 1和y = 2.04x-04;层叠在层15上的每个侧面部分上的n型AlzGa1-zAs沟道形成层16的混晶比设定在0≤z≤0.5的范围内。因此，当在层16的中心部分向下形成条形通道时，在层16的表面上形成氧化膜;当通过液体外延法生长包层17时，在层16上生长的晶体的生长速度在其开始生长时变慢。结果，在层15上生长的晶体溶液容易变成过饱和状态。晶体的生长速度变快。因此，层15上的衍射光栅15a，16a不会被回熔操作腐蚀;可以确定地获得单个纵模振荡。
申请日期	1988-10-24
专利号	JP2806533B2
专利状态	失效
申请号	JP1988267765
公开（公告）号	JP2806533B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/24 \| H01S5/12 \| H01S5/22 \| H01S5/223 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88754
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	坂根千登勢,瀧口治久,工藤裕章,等. 半導体レーザ素子. JP2806533B2[P]. 1998-07-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2806533B2.PDF（52KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文