半導体レーザ素子及びその製造方法

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	半導体レーザ素子及びその製造方法
其他题名	半導体レーザ素子及びその製造方法
	中津弘志; 猪口和彦; 厚主文弘; 奥村敏之; 滝口治久
	1996-08-08
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	1996-10-23
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To enable a semiconductor laser to oscillate in a single, basic, horizontal, and lateral mode by a method wherein a dopant containing SOG film is made to serve as a buried layer, and a diffusion region doped with dopant contained by the buried layer is formed in a region adjacent to the buried layer in a mesa stripe structure. CONSTITUTION:An N-type InP buffer layer 2, an active layer 3, a P-type InP clad layer 4, and a P-type GaInAs cap layer 5 are epitaxially grown in succession on an N-type InP buffer layer 2 through a MOCVD method. A resist provided with a mesa stripe pattern is formed on the cap layer 5, which is mesa- etched in an inverted mesa direction. Then, an SOG solution is applied onto a wafer without removing the resist, and then a baking process takes place to form a buried layer formed of an SOG film 6. Furthermore, a baking process is made to continue to enable Zn contained by the SOG film 6 to diffuse into a mesa strip structure. The upside of the wafer is flattened by the buried layer of the SOG film 6, a P-side electrode 7 is formed, and an N-side electrode 8 is provided to the rear of the substrate
其他摘要	目的：通过一种方法，使半导体激光器以单一，基本，水平和横向模式振荡，其中含有SOG膜的掺杂剂用作掩埋层，掺杂掺杂剂的扩散区用于掩埋层在台面条纹结构中形成在与掩埋层相邻的区域中。组成：N型InP缓冲层2，有源层3，P型InP包层4和P型GaInAs盖层5在N型InP缓冲层2上依次外延生长。 MOCVD方法。在盖层5上形成具有台面条纹图案的抗蚀剂，该盖层5以倒置的台面方向进行台面蚀刻。然后，在不去除抗蚀剂的情况下将SOG溶液施加到晶片上，然后进行烘焙工艺以形成由SOG膜6形成的掩埋层。此外，进行烘焙工艺以继续使SOG包含的Zn薄膜6扩散到台面条带结构中。通过SOG膜6的掩埋层使晶片的上侧平坦化，形成P侧电极7，并且在基板1的后部设置N侧电极8。
申请日期	1990-01-31
专利号	JP2547458B2
专利状态	失效
申请号	JP1990022953
公开（公告）号	JP2547458B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88738
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	中津弘志,猪口和彦,厚主文弘,等. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2547458B2[P]. 1996-08-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2547458B2.PDF（40KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文