Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 中村 淳一 | |
| 2009-08-27 | |
| 专利权人 | SHARP CORP |
| 公开日期 | 2009-08-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】互いに波長が異なる複数のレーザ光を出射できると共に、製造コストを低減することができる半導体レーザを提供する。 【解決手段】n型GaAs基板1上には結晶成長工程で第1,第2のダブルへテロ構造が形成されている。第1,第2のダブルへテロ構造はn型AlGaInP第1クラッド層3を共有する。第1のダブルへテロ構造は、AlGaAs系MQW活性層5およびp型AlGaInP第2クラッド層6を有する。第2のダブルへテロ構造は、AlGaInP系MQW活性層12およびp型AlGaInP第4クラッド層13を有する。AlGaAs系MQW活性層5とAlGaInP系MQW活性層12とは、層厚、材料およびキャリア濃度が互いに異なっている。 【選択図】図6 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供能够发射不同波长的多个激光束并降低其制造成本的半导体激光器。解决方案：通过晶体生长工艺在n型GaAs衬底1上形成第一和第二双异质结构。第一和第二双异质结构共用n型AlGaInP第一包层3.第一双异质结构包含AlGaAs基MQW有源层5和p型AlGaInP第二包层6.第二双异质结构结构包含AlGaInP基MQW有源层12和p型AlGaInP第四包层13.AlGaAs基MQW有源层5与层厚度，材料和载流子密度的AlGaInP基MQW有源层12不同。 Ž |
| 申请日期 | 2008-02-18 |
| 专利号 | JP2009194304A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2008036071 |
| 公开（公告）号 | JP2009194304A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 山崎 宏 | 田中 光雄 | 仲倉 幸典 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88677 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 淳一. 半導体レーザ. JP2009194304A[P]. 2009-08-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2009194304A.PDF（47KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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