発光素子,発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法

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	発光素子,発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法
其他题名	発光素子,発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法
	小島繁; 白井克弥; 森芳文; 戸田淳
	2000-12-15
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	2000-12-15
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】発光効率が高く、材料選択の幅が広く、大面積の素子列を得られる発光素子,発光装置および表示装置並びに製造方法を提供する。【解決手段】石英ガラスよりなる基板11にn型AlGaNの非単結晶体よりなるn型クラッド層12,ZnOよりなる複数の微結晶13aを含む発光層13およびp型BNの非単結晶体よりなるp型クラッド層14を順次積層する。n型クラッド層12とp型クラッド層14との間には微結晶13aの間を埋めるように絶縁層15が形成され、漏れ電流が防止される。絶縁層15はn型クラッド層12の表面を酸化することにより形成される。発光層13は結晶性が向上された複数の微結晶13aを含むので、発光効率が向上すると共に、発光層13,n型クラッド層12,p型クラッド層14および基板11の材料選択の幅が広がり、大面積の素子列を形成できる。
其他摘要	要解决的问题：提高发光效率，增加材料选择的种类，并获得大面积的元素柱。解决方案：由n型AlGaN非单晶体制成的n型包层12，包含由ZnO制成的多个微晶13a的发光层13，以及由p型BN非单晶体制成的p型包层14连续层叠在由水晶玻璃制成的基板11上。在n型覆层12和p型覆层14之间形成绝缘层15，从而可以填充微晶13a之间的间隙，从而可以防止漏电流。通过氧化n型覆层12的表面来形成绝缘层15.发光层13包含多个微晶13，其结晶性得到改善，从而可以提高发光效率。此外，可以增加发光层13，n型包层12，p型包层14和基板11的材料选择的变化，并且可以形成具有大面积的元件列。。
申请日期	1999-07-23
专利号	JP2000349333A
专利状态	失效
申请号	JP1999209383
公开（公告）号	JP2000349333A
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01L33/08 \| H01L33/42 \| H01L33/50 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/28 \| H01L33/00
专利代理人	藤島洋一郎
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88671
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	小島繁,白井克弥,森芳文,等. 発光素子,発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法. JP2000349333A[P]. 2000-12-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000349333A.PDF（250KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文