Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
発光素子,発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法 | |
其他题名 | 発光素子,発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法 |
小島 繁; 白井 克弥; 森 芳文; 戸田 淳 | |
2000-12-15 | |
专利权人 | ソニー株式会社 |
公开日期 | 2000-12-15 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【課題】 発光効率が高く、材料選択の幅が広く、大面積の素子列を得られる発光素子,発光装置および表示装置並びに製造方法を提供する。 【解決手段】 石英ガラスよりなる基板11にn型AlGaNの非単結晶体よりなるn型クラッド層12,ZnOよりなる複数の微結晶13aを含む発光層13およびp型BNの非単結晶体よりなるp型クラッド層14を順次積層する。n型クラッド層12とp型クラッド層14との間には微結晶13aの間を埋めるように絶縁層15が形成され、漏れ電流が防止される。絶縁層15はn型クラッド層12の表面を酸化することにより形成される。発光層13は結晶性が向上された複数の微結晶13aを含むので、発光効率が向上すると共に、発光層13,n型クラッド層12,p型クラッド層14および基板11の材料選択の幅が広がり、大面積の素子列を形成できる。 |
其他摘要 | 要解决的问题:提高发光效率,增加材料选择的种类,并获得大面积的元素柱。解决方案:由n型AlGaN非单晶体制成的n型包层12,包含由ZnO制成的多个微晶13a的发光层13,以及由p型BN非单晶体制成的p型包层14连续层叠在由水晶玻璃制成的基板11上。在n型覆层12和p型覆层14之间形成绝缘层15,从而可以填充微晶13a之间的间隙,从而可以防止漏电流。通过氧化n型覆层12的表面来形成绝缘层15.发光层13包含多个微晶13,其结晶性得到改善,从而可以提高发光效率。此外,可以增加发光层13,n型包层12,p型包层14和基板11的材料选择的变化,并且可以形成具有大面积的元件列。。 |
申请日期 | 1999-07-23 |
专利号 | JP2000349333A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1999209383 |
公开(公告)号 | JP2000349333A |
IPC 分类号 | H01L | H01S | H01S5/323 | H01L33/08 | H01L33/42 | H01L33/50 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/00 |
专利代理人 | 藤島 洋一郎 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88671 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | ソニー株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 小島 繁,白井 克弥,森 芳文,等. 発光素子,発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法. JP2000349333A[P]. 2000-12-15. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP2000349333A.PDF(250KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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