Buried high resistance type semiconductor laser

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	Buried high resistance type semiconductor laser
其他题名	Buried high resistance type semiconductor laser
	KASAHARA KENICHI
	1988-02-27
专利权人	NEC CORP
公开日期	1988-02-27
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To accelerate the resistance increase of a buried layer thereby to obtain a high resistance buried type semiconductor laser having small efficiency of a threshold current by providing a bandlike structure having an active layer and a single hetero structure on an optical guide layer to be buried. CONSTITUTION:A bandlike structure having a single hetero junction structure made of an active layer 14 and a semiconductor layer 15 including a forbidden band width wider than the layer 14, and a double hetero junction formed on an optical guide layer 13 provided through a clad layer 12 on one main surface of a semiconductor substrate 1 with an Fe-doped buried layer 17 of a high resistance semiconductor including forbidden band width wider than the layer 14 provided on the side of the structure are formed. A leakage current can be reduced to the degree of no problem by doping Fe in the layer 17. Since a single traverse mode oscillation can be executed even if the width of the layer 14 is increased, the adverse influence of the Fe can be avoided. Thus, a high resistance buried type semiconductor laser which has high light emitting efficiency can be obtained.
其他摘要	用途：通过在待掩埋的光导层上设置具有有源层和单异质结构的带状结构，加速埋层的电阻增加，从而获得阈值电流效率小的高电阻埋入型半导体激光器。组成：具有单个异质结结构的带状结构，其由有源层14和半导体层15构成，半导体层15包括比层14宽的禁带宽度，以及形成在通过包层提供的光导层13上的双异质结如图12所示，在半导体衬底1的一个主表面上形成具有高阻半导体的Fe掺杂埋层17，该高阻半导体包括比设置在该结构侧的层14宽的禁带宽度。通过在层17中掺杂Fe，可以将漏电流减小到没有问题的程度。由于即使增加层14的宽度也可以执行单个横向模式振荡，因此可以避免Fe的不利影响。因此，可以获得具有高发光效率的高电阻掩埋型半导体激光器。
申请日期	1986-08-15
专利号	JP1988046789A
专利状态	失效
申请号	JP1986191370
公开（公告）号	JP1988046789A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88636
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	KASAHARA KENICHI. Buried high resistance type semiconductor laser. JP1988046789A[P]. 1988-02-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988046789A.PDF（247KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文