Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Refractive index waveguide type semiconductor laser device | |
其他题名 | Refractive index waveguide type semiconductor laser device |
TETSU HIDEO | |
1992-01-30 | |
专利权人 | VICTOR CO OF JAPAN LTD |
公开日期 | 1992-01-30 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To obtain a refractive index waveguide type semiconductor laser device prevented from generation of a crystalline defect by locating the boundaries of buried layers of a plurality of kinds on the top part of a second clad layer of a ridge structure. CONSTITUTION:A stripe 5 of an SiO2 film is etched and the width of the stripe 5 of this SiO2 film is processed to a width smaller than the length of the upper side of ridge structure part of a p-clad layer by 300Angstrom on both sides respectively. Then, the block layers 6a, 6b of n - GaAs are made to grow. A t this time, the block layers 6a, 6b are not grown the stripe 5 of the SiO2 film but grow only on the surface of the p-clad layer 4 being etched half, and the block layers 6a,6b grow also on both parts having no stripe 5 of the SiO2 film of the upper side of the ridge structure part of the p-clad layer 4. Later, the stripe 5 of the SiO2 film is removed by a hydro-fluoric acid group solution, and a contact layer of p-GaAs is made to grow on the block layers 6a, 6b and the p-clad layer 4 by an MOCVD method. |
其他摘要 | 目的:通过在脊结构的第二包层的顶部设置多种埋层的边界,以获得防止产生晶体缺陷的折射率波导型半导体激光器件。组成:蚀刻SiO2薄膜的条纹5,并将该SiO2薄膜的条纹5的宽度加工成宽度小于p-包层的脊结构部分的上侧的长度,两侧的宽度为300埃。分别。然后,使n-GaAs的阻挡层6a,6b生长。此时,阻挡层6a,6b不是生长在SiO2薄膜的条纹5上,而是仅在被蚀刻一半的p-包覆层4的表面上生长,并且阻挡层6a,6b也在两个部分上生长。在p-包层4的脊结构部分的上侧没有条纹5的SiO2膜。之后,通过氢氟酸基团溶液和接触层去除SiO2膜的条纹5。通过MOCVD法使p-GaAs在阻挡层6a,6b和p覆层4上生长。 |
申请日期 | 1990-05-22 |
专利号 | JP1992027185A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1990132305 |
公开(公告)号 | JP1992027185A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88625 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | VICTOR CO OF JAPAN LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | TETSU HIDEO. Refractive index waveguide type semiconductor laser device. JP1992027185A[P]. 1992-01-30. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1992027185A.PDF(143KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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