Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 発光素子 | |
| 其他题名 | 発光素子 |
| 林 伸彦; 狩野 隆司 | |
| 2000-07-14 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 クラッド層にクラックが発生するのを抑え、しかも活性層への光閉じ込め、或いは/及びキャリア閉じ込めを良くして、しきい値電流を小さくした発光素子を提供する。 【解決手段】 窒化物系よりなるn-クラッド層6とpー-クラッド層8との間に活性層7を有する発光素子において、前記n-クラッド層6及びp-クラッド層がBを含有することを特徴とする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：为了保护覆层免于破裂，并且通过如下方法使光或/和载流子被良好地捕获在有源层中，其中将n型覆层和/或p型覆层制成含有硼。解决方案：发光器件配备有由氮化物半导体材料形成的覆盖层6和8，以及插入在覆盖层6和8之间的有源层7，其中包含硼B的覆盖层6和8变大折射率，并且有源层7中的捕获光的系数变大，使得防止光从包层6和8泄漏出，并且防止发光器件有效地劣化振荡。含有硼B的包覆层6和8的能带变大，并且有源层7和包覆层6和8之间的带隙变大，使得注入到有源层7中的载流子被良好地捕获在有源层中特别地，将B添加到P侧覆盖层8是有效的。 |
| 申请日期 | 1998-12-25 |
| 专利号 | JP2000196200A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998369703 |
| 公开（公告）号 | JP2000196200A |
| IPC 分类号 | H01L33/34 | H01S5/343 | H01L33/06 | H01L33/14 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 芝野 正雅 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88624 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林 伸彦,狩野 隆司. 発光素子. JP2000196200A[P]. 2000-07-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000196200A.PDF（79KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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