Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| UCHIDA, SATOSHI; KUSUNOKI, KAORU; MUSHIAGE, MASATO | |
| 1993-08-10 | |
| 专利权人 | REEVES BROTHERS INC. |
| 公开日期 | 1993-08-10 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor laser device comprises: an active layer; a lower clad layer provided below the active layer; an upper clad layer provided above the active layer; and a current blocking layer, provided above the upper clad layer, for limiting an active region of the active layer in a direction along a width to make the active region of a striped form which has a wide portion and a narrow portion. According to the device, coherence of an oscillated laser beam is reduced, thereby to decrease a feedback induced noise when used for a pickup of an optical information recording/reproducing apparatus. |
| 其他摘要 | 一种半导体激光装置，包括：有源层;在有源层下方提供下包层;设置在有源层上方的上包层;设置在上包层上方的电流阻挡层，用于沿宽度方向限制有源层的有源区，以形成具有宽部和窄部的条纹状有源区。根据该装置，减小了振荡激光束的相干性，从而当用于光学信息记录/再现装置的拾取时减小反馈引起的噪声。 |
| 申请日期 | 1991-10-18 |
| 专利号 | US5235609 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US07/778550 |
| 公开（公告）号 | US5235609 |
| IPC 分类号 | H01S5/10 | H01S5/00 | H01S5/223 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | NIKAIDO,MARMELSTEIN,MURRAY & ORAM |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88488 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | REEVES BROTHERS INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | UCHIDA, SATOSHI,KUSUNOKI, KAORU,MUSHIAGE, MASATO. Semiconductor laser device. US5235609[P]. 1993-08-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US5235609.PDF（97KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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