半導体発光装置の製造方法

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	半導体発光装置の製造方法
其他题名	半導体発光装置の製造方法
	竹内辰也
	1993-07-13
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1993-07-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】半導体発光装置の製造方法に関し,活性層をバイパスする洩れ電流を阻止する埋込み層を形成する方法の提供を目的とする。【構成】一導電型化合物半導体(100)基板1上に活性層2,反対導電型クラッド層3をこの順に形成する工程と,クラッド層3上に選択成長用マスク4を形成し,選択成長用マスク4をマスクにしてクラッド層3,活性層2,基板1をエッチングし,クラッド層3の側面がほぼ(011)面であるメサを形成する工程と,一導電型不純物と反対導電型不純物を同時に含む化合物半導体原料ガスを供給して,(100)基板1上に反対導電型埋込み層5を成長させ,かつクラッド層3の(011)側面上に一導電型埋込み層6を成長させる工程とを有するように,また,少なくとも一導電型埋込み層6に現れる(111)面が埋まり始める前に反対導電型不純物の供給を停止し,反対電型埋込み層5上に一導電型埋込み層7を成長させる工程とを含むように構成する。
其他摘要	用途：通过形成埋层，改善电流检测功能并减少高输出时的漏电源，使得基板上的一部分和包层台面的侧面上的一部分同时用导电类型彼此不同的层覆盖层。组成：在一个导电类型化合物半导体（100）基板1上依次形成有源层2和相反导电类型的包层3.然后，在相反导电类型的包层3上形成用于选择性生长的掩模4并且，对相反导电型包层3，有源层2和一个导电型化合物半导体（100）基板1进行蚀刻，使得相对导电型包层3的侧面几乎为a的台面（011））脸形成。接着，使相反导电型掩埋层5在衬底1上生长，并使第一导电掩埋层6在相对导电型覆层3的（011）侧面上生长。）在第一导电型埋层6上出现的面开始被掩埋，第二导电型埋层7生长。
申请日期	1992-06-16
专利号	JP1993175606A
专利状态	失效
申请号	JP1992155498
公开（公告）号	JP1993175606A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	井桁貞一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88425
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	竹内辰也. 半導体発光装置の製造方法. JP1993175606A[P]. 1993-07-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993175606A.PDF（64KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文