Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 細羽 弘之; 中村 淳一; 中津 弘志; 倉橋 孝尚; 村上 哲朗 | |
| 1999-03-16 | |
| 专利权人 | シャープ株式会社 |
| 公开日期 | 1999-03-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 発光効率、信頼性及び応答特性の高い半導体発光素子を得る。 【解決手段】 GaAs基板1上に、AlGaInP系材料からなる第1クラッド層3、活性層4及び第2クラッド層5が設けられている。活性層4はp型であり、そのキャリア濃度が1×1017cm-3より大きく3×1018cm-3以下である。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过指定有源层（p）类型的导电类型，并将其载流子浓度设置在指定范围内，显着提高发光效率，可靠性和责任。解决方案：半导体发光元件具有双异质结构，其中有源层4被第一导电型第一包层3和第二包层5夹在中间。由于有源层4的导电类型是（p）型，掺杂剂在不增加非发光中心浓度的情况下激活，并且可以增加载流子浓度。通过将p型有源层4的载流子浓度设定为高于1＆lt×10 17 cm 3，不超过3＆10 11 cm 3，可以提高发光效率。通过将p型有源层4的载流子浓度设定在2×10 17至5×10 17 cm 3的范围内，不允许发光复合中心的浓度在通电时变化。从而提高元件可靠性。 |
| 申请日期 | 1997-08-29 |
| 专利号 | JP1999074557A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997235135 |
| 公开（公告）号 | JP1999074557A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01L33/56 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 山本 秀策 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88420 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細羽 弘之,中村 淳一,中津 弘志,等. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1999074557A[P]. 1999-03-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999074557A.PDF（91KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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