半導体光素子の製造方法

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	半導体光素子の製造方法
其他题名	半導体光素子の製造方法
	川崎和重; 鴫原君男
	2011-09-02
专利权人	三菱電機株式会社
公开日期	2011-11-09
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】素子の信頼性を格段に向上できる半導体光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】n型GaAs等の基板1の上に、順次、Al0.3Ga0.7As等のn型クラッド層2、GaAs等のガイド層3、In0.14Ga0.86As等の量子井戸層4、GaAs等のバリア層5、In0.14Ga0.86As等の量子井戸層6、GaAs等のガイド層7、Al0.3Ga0.7As等のp型クラッド層8aを、MOCVD等を用いてエピタキシャル成長させた後、熱処理の際にAs元素の抜けを防止するために絶縁膜10を形成し、次に、窒素雰囲気で800℃以上の炉温に保たれたアニール炉に投入して、約30分間の熱処理を施すことで、エピタキシャル成長層間の歪みが緩和される。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种能够显着提高元件可靠性的半导体光学元件及其制造方法。 ŽSOLUTION：在半导体光学元件的制造方法中，Al 0.3 Ga 0.7 As等的n型覆盖层2，GaAs的引导层3或等，In 0.14 Ga 0.86 As等的量子阱层4，GaAs等的势垒层5，In的量子阱层6 SB> 0.14 Ga 0.86 As等，GaAs等的引导层7，Al 0.3 Ga 0.7 As等在GaAs等的n型衬底1上依次进行外延生长。之后，形成绝缘膜10，以防止在热处理的情况下As元素的脱落。接下来，将其送入在氮气氛中保持在800℃或更高的炉温的退火炉中，并进行约30分钟的热处理，从而获得在外延生长层之间释放应变的过程。通过这种方法，可以获得与传统情况相比明显长的连续操作持续时间，从而可以实现具有非常高可靠性的半导体光学元件。 Ž
申请日期	2003-04-15
专利号	JP4813009B2
专利状态	授权
申请号	JP2003109960
公开（公告）号	JP4813009B2
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/00 \| H01S5/028 \| B82Y20/00 \| H01L21/324 \| H01L21/00 \| H01S5/223 \| H01S5/22 \| H01L33/00 \| H01S5/02
专利代理人	山田卓二 \| 田中光雄 \| 石野正弘
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88411
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	川崎和重,鴫原君男. 半導体光素子の製造方法. JP4813009B2[P]. 2011-09-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4813009B2.PDF（75KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文