半導体レーザ装置およびその製造方法

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	半導体レーザ装置およびその製造方法
其他题名	半導体レーザ装置およびその製造方法
	工藤裕章; 瀧口治久; 猪口和彦; 中西千登勢; 菅原聰
	1998-07-31
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	1998-10-15
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a distributed feedback type semiconductor laser device which is small in oscillation threshold current and able to oscillate stably in both a single lateral mode and a single axis mode by a method wherein a diffraction grating is provided to the surface of an optical guide layer formed on an active layer. CONSTITUTION:In a semiconductor laser device, as a current constriction structure where a current is injected is provided only to a stripe groove 15 formed on an N-type GaAs current block layer 9, an active region containing an Al0.13 Ga0.87As active layer 3 is provided under the stripe groove 15, laser rays which are induced there and made to expand vertical to a resonator are trapped by an N-type Al0.5Ga0.5As first clad layer 2 and a P-type Al0.7Ga0.3As second clad layer 6. Laser rays oozing out to a P-type Al0.25Ga0.75As optical guide layer 5 are optically fed back from a diffraction grating 14 corresponding to its ratio to start a continuous laser oscillation. On the other hand, laser rays expanding laterally are absorbed by an N-type GaAs current block layer 9, so that they are trapped as wide as the stripe groove 15.
其他摘要	目的：获得一种分布式反馈型半导体激光器件，其振荡阈值电流小，并且能够通过一种方法在单横向模式和单轴模式下稳定振荡，其中衍射光栅设置在光导的表面上在有源层上形成的层。组成：在半导体激光器件中，作为电流注入结构，其中注入电流仅提供给形成在N型GaAs电流阻挡层9上的条纹沟槽15，包含Al0.13 Ga0.87As活性区域的有源区域在条纹沟槽15下方设置层3，在那里感应并且垂直于谐振器扩展的激光被N型Al0.5Ga0.5As第一包层2和P型Al0.7Ga0.3As捕获第二包层6渗出到P型Al0.25Ga0.75As光学引导层5的激光射线从对应于其比率的衍射光栅14光学地反馈，以开始连续的激光振荡。另一方面，横向扩展的激光束被N型GaAs电流阻挡层9吸收，使得它们被捕获与条纹槽15一样宽。
申请日期	1990-09-10
专利号	JP2810518B2
专利状态	失效
申请号	JP1990240770
公开（公告）号	JP2810518B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	梅田勝 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88394
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	工藤裕章,瀧口治久,猪口和彦,等. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2810518B2[P]. 1998-07-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2810518B2.PDF（44KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文