Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
工藤 裕章; 瀧口 治久; 猪口 和彦; 中西 千登勢; 菅原 聰 | |
1998-07-31 | |
专利权人 | シャープ株式会社 |
公开日期 | 1998-10-15 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | PURPOSE:To obtain a distributed feedback type semiconductor laser device which is small in oscillation threshold current and able to oscillate stably in both a single lateral mode and a single axis mode by a method wherein a diffraction grating is provided to the surface of an optical guide layer formed on an active layer. CONSTITUTION:In a semiconductor laser device, as a current constriction structure where a current is injected is provided only to a stripe groove 15 formed on an N-type GaAs current block layer 9, an active region containing an Al0.13 Ga0.87As active layer 3 is provided under the stripe groove 15, laser rays which are induced there and made to expand vertical to a resonator are trapped by an N-type Al0.5Ga0.5As first clad layer 2 and a P-type Al0.7Ga0.3As second clad layer 6. Laser rays oozing out to a P-type Al0.25Ga0.75As optical guide layer 5 are optically fed back from a diffraction grating 14 corresponding to its ratio to start a continuous laser oscillation. On the other hand, laser rays expanding laterally are absorbed by an N-type GaAs current block layer 9, so that they are trapped as wide as the stripe groove 15. |
其他摘要 | 目的:获得一种分布式反馈型半导体激光器件,其振荡阈值电流小,并且能够通过一种方法在单横向模式和单轴模式下稳定振荡,其中衍射光栅设置在光导的表面上在有源层上形成的层。组成:在半导体激光器件中,作为电流注入结构,其中注入电流仅提供给形成在N型GaAs电流阻挡层9上的条纹沟槽15,包含Al0.13 Ga0.87As活性区域的有源区域在条纹沟槽15下方设置层3,在那里感应并且垂直于谐振器扩展的激光被N型Al0.5Ga0.5As第一包层2和P型Al0.7Ga0.3As捕获第二包层6渗出到P型Al0.25Ga0.75As光学引导层5的激光射线从对应于其比率的衍射光栅14光学地反馈,以开始连续的激光振荡。另一方面,横向扩展的激光束被N型GaAs电流阻挡层9吸收,使得它们被捕获与条纹槽15一样宽。 |
申请日期 | 1990-09-10 |
专利号 | JP2810518B2 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1990240770 |
公开(公告)号 | JP2810518B2 |
IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | 梅田 勝 (外2名) |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88394 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | シャープ株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 工藤 裕章,瀧口 治久,猪口 和彦,等. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2810518B2[P]. 1998-07-31. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP2810518B2.PDF(44KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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