半導体発光素子

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体発光素子
其他题名	半導体発光素子
	麻多進
	1996-12-19
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1997-03-19
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To make small a serial resistance by a hetero interface and realize lower power consumption and high integration density by conducting high concentration doping in the vicinity of interface on the outside viewed from an active layer of a semiconductor having a wide forbidden band width which will become a potential barrier for the carrier controlling a current. CONSTITUTION:An N-type GaAs layer 11 and an N-type AlAs layer 12 are alternately stacked on a GaAs substrate 10, a non-doped InGaAs active layer 13 is also stacked through a guide layer consisting of a AlGaAs layer and a P-type AlAs layer 14 and P-type GaAs layer 15 are alternately stacked thereon. Film layers 11, 12, 14, 15 forming a wide reflecting film is set to 1/4 wavelength in order to satisfy multiple resonance reflecting condition. These multilayer film is formed by the molecular beam epitaxial method and the local doping is conducted in such a manner that the high concentration area is located outside the active layer of the wide forbidden band width layers 12, 14. As a result, a serial resistance is drastically reduced by about two digits in comparison with a uniform doping one.
其他摘要	用途：通过异质界面制作小的串联电阻，通过在具有宽禁带宽度的半导体有源层看到的外部界面附近进行高浓度掺杂，实现更低的功耗和高集成密度成为控制电流的载体的潜在障碍。组成：N型GaAs层11和N型AlAs层12交替堆叠在GaAs衬底10上，非掺杂InGaAs有源层13也通过由AlGaAs层和P-组成的引导层堆叠。 AlAs层14和P型GaAs层15交替堆叠在其上。形成宽反射膜的膜层11,12,14,15设定为1/4波长，以满足多重共振反射条件。这些多层膜通过分子束外延法形成，并且局部掺杂以高浓度区域位于宽禁带宽度层12,14的有源层外部的方式进行。结果，串联电阻与均匀掺杂相比，它大大减少了大约两位数。
申请日期	1990-11-14
专利号	JP2591333B2
专利状态	失效
申请号	JP1990307647
公开（公告）号	JP2591333B2
IPC 分类号	H01L \| H01L33/46 \| H01S \| H01S5/183 \| H01L33/06 \| H01L33/10 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	京本直樹 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88381
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	麻多進. 半導体発光素子. JP2591333B2[P]. 1996-12-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2591333B2.PDF（25KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文