Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザとその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザとその製造方法 |
| 岡 聡彦; 山下 茂雄; 黒田 崇郎; 小野 佑一 | |
| 1993-09-03 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1993-09-03 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【構成】p型InP基板7上に、InGaAsP活性層5とn型InPクラッド層4を結晶成長した後、InGaAsP活性層5の下面まで一致する深さまで、或いは下面より0.2μm 以内の深さまでエッチングを行いメサを形成し、半絶縁性InPブロック層6とn型InP埋込層3で埋め込む。 【効果】メサの直列抵抗が低減されるため、レーザ発振時における電流ブロック層にかかる電圧も小さい。従って、電流ブロック層を流れるリーク電流が小さくなり、低閾値で、高効率の半導体レーザが得られる。 |
| 其他摘要 | 用途：通过允许激活层的底平面与台面的底部一致或允许从台面的底平面到底面的高度，防止串联电阻增加并提高低阈值的振荡效率。激活层为固定值或更小。组成：p型InP台面的高度允许为0.2mum或更低，并且该部分的串联电阻增加被抑制。在p型InP衬底7上晶体生长InGaAsP活化层5和n型P包覆层4之后，进行蚀刻至与InGaAsP活化层5的底平面一致的深度，并形成台面。然后，台面条的两侧被半绝缘InP阻挡层6掩埋。台面条由n型InP包层4和InGaAsP激活层5构成，并且由于台面条不包含在p型InP层中，台面条纹的串联电阻减小。结果，几乎不允许半绝缘InP阻挡层6中的漏电流流动。 |
| 申请日期 | 1992-02-17 |
| 专利号 | JP1993226772A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992029192 |
| 公开（公告）号 | JP1993226772A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88376 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡 聡彦,山下 茂雄,黒田 崇郎,等. 半導体レーザとその製造方法. JP1993226772A[P]. 1993-09-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993226772A.PDF（21KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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