窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法

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	窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法
其他题名	窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法
	奥山浩之; 中村文彦; 中島博
	2000-06-16
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	2000-06-16
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】キャリア濃度が高く、低抵抗なp型窒化物系III-V族化合物半導体層を得ることができる窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法、ならびに、キャリア濃度が高く、低抵抗なp型窒化物系III-V族化合物半導体層を得ることができ、動作電圧が低く、かつ、高発光効率の窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子を実現することができる半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 p型窒化物系III-V族化合物半導体層31を化学気相成長法により成長させる場合に、p型不純物と酸素とを同時にドープすると共に、成長原料のV/III比を6000以下、好適には5000以下にする。
其他摘要	要解决的问题：通过氮化物III-V族化合物半导体层掺杂有P型杂质和氧的方法，使氮化物III-V族化合物半导体层的载流子浓度提高，电阻降低，当生长氮化物III-V化合物半导体层时，比率V / III保持低于特定值。解决方案：在低温下在C表面蓝宝石衬底21上生长GaN缓冲层22。 GaN缓冲层23，N型GaN接触层24，N型AlGaN包覆层25，N型GaN光波导层26，GaInN / GaN多量子阱结构的有源层27，P依次生长型AlGaN覆盖层28，P型GaN光波导层29，P型AlGaN覆盖层30和P型GaN接触层31。此时，生长P型氮化物III-V化合物半导体层，掺杂有P型杂质和氧。此外，使P型GaN接触层31以保持小于6,000的比率V / III生长。
申请日期	1998-11-26
专利号	JP2000164512A
专利状态	失效
申请号	JP1998336355
公开（公告）号	JP2000164512A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L21/205 \| H01L33/00
专利代理人	杉浦正知
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88366
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	奥山浩之,中村文彦,中島博. 窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法. JP2000164512A[P]. 2000-06-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000164512A.PDF（60KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文