半導体レーザの製造方法

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	半導体レーザの製造方法
其他题名	半導体レーザの製造方法
	原義博; 伴雄三郎; 粂雅博; 石橋明彦; 上村信行; 長谷川義晃
	1998-03-10
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1998-03-10
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】レーザチップを損傷させることなく高い歩留まりで個々のレーザチップに分割する方法を提供する。【解決手段】半導体結晶の基板202側より、ストライプと垂直方向には発光領域の下部を避けた破線状の溝211を形成する。またストライプと平行な方向には連続した溝211をエッチングにより形成する。この溝に沿って刃を当て力を加えて半導体結晶を劈開する。これにより六方晶基板でも互いに垂直な方向に劈開することができる。
其他摘要	要解决的问题：通过一种方法将激光器芯片分成单独的芯片而不损坏激光器芯片，其中线性或虚线形状的凹槽全部通过在方向上的蚀刻等在半导体晶体构成的基板中形成垂直和平行于条纹发光区域，半导体晶体沿这些凹槽切割。解决方案：蚀刻槽111和112分别从基板102的后部沿垂直方向并平行于条形电极101形成在基板102中。垂直于电极101的方向上的槽以这样的方式形成：凹槽之间的宽度等于谐振器长度，并且在平行于电极101的方向上的凹槽以这样的方式形成：凹槽的位置大致位于彼此相邻的电极101之间的中心处。。由于垂直于电极101的方向上的凹槽是从基板102的后部形成的，并且外延层的厚度比基板102的100到200μm左右的厚度大约10μm或更薄，所以凹槽111用作切割的引导槽，可以完全钻孔。由此，可以容易地切割半导体晶体，并且可以提高半导体激光器的制造成品率。
申请日期	1996-08-08
专利号	JP1998070335A
专利状态	失效
申请号	JP1996209940
公开（公告）号	JP1998070335A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	滝本智之 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88356
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	原義博,伴雄三郎,粂雅博,等. 半導体レーザの製造方法. JP1998070335A[P]. 1998-03-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998070335A.PDF（40KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文