Method of manufacturing semiconductor laser

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	Method of manufacturing semiconductor laser
其他题名	Method of manufacturing semiconductor laser
	OHNAKA, KIYOSHI; OGURA, MOTOTSUGU
	1992-09-01
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
公开日期	1992-09-01
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	According to the structure of the invention, an AlGaInP cladding layer of one conductive type, an active layer, and an AlGaInP cladding layer of other conductive type greater in thickness in stripes are formed on a GaAs substrate, and an insulating film, AlGaInP or amorphous layer smaller in refractive index than the AlGaInP cladding layer are formed at both sides of the stripes, wherein the light can be confined and guided also in the direction parallel to the active layer, and the light can be index-guided both in the direction parallel to the active layer and in the direction vertical thereto, so that a laser having an extremely smaller astigmatism may be presented. What is more, the current blocking layer disposed at the outer side of the insulating film, AlGaInP or amorphous layer is high in thermal conductivity, and the heat generated in the vicinity of the active layer may be efficiently released. The invention also relates to the method of fabricating the laser composed in such structure.
其他摘要	根据本发明的结构，在GaAs衬底上形成一种导电类型的AlGaInP包层，有源层和厚度更大的其他导电类型的AlGaInP包层，以及绝缘膜，AlGaInP或非晶折射率小于AlGaInP包层的层形成在条纹的两侧，其中光也可以在平行于有源层的方向上被限制和引导，并且光可以在平行的方向上被折射率引导在有源层和与其垂直的方向上，可以呈现具有极小散光的激光。此外，设置在绝缘膜，AlGaInP或非晶层外侧的电流阻挡层具有高导热率，并且可以有效地释放在有源层附近产生的热量。本发明还涉及制造这种结构的激光器的方法。
申请日期	1991-04-09
专利号	US5143863
专利状态	失效
申请号	US07/683181
公开（公告）号	US5143863
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/227 \| H01S5/223 \| H01S5/323 \| H01S5/22 \| H01L21/20 \| H01L21/203
专利代理人	-
代理机构	WENDEROTH,LIND & PONACK
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88328
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	OHNAKA, KIYOSHI,OGURA, MOTOTSUGU. Method of manufacturing semiconductor laser. US5143863[P]. 1992-09-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5143863.PDF（473KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文