半導体レーザ及びその製造方法

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	半導体レーザ及びその製造方法
其他题名	半導体レーザ及びその製造方法
	松川健一; 林伸彦
	1994-06-10
专利权人	三洋電機株式会社
公开日期	1994-06-10
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】平坦な活性層の発光領域を備え、活性層の下層側に電流狭窄機能を有する電流ブロック層を備える半導体レーザ及びその製造方法を提供すること、【構成】 p型GaAsの基板1中央にp-Al0.38Ga0.62Asの第1p-クラッド層が形成されており、この第1p-クラッド層2を埋め込む様態にて、基板1上にn-GaAsのブロック層3が積層されている。前記第1p-クラッド層2及びブロック層3の上に第2p-クラッド層4が積層されており、前記第1p-クラッド層2及びブロック層3の表面は、第1p-クラッド層2及びその近傍で面一となっている。第2p-クラッド層4上には、Al0.12Ga0.88Asの活性層5,n-Al0.38Ga0.62Asのn-クラッド層6及びn-GaAsのキャップ層7が積層されている。そして、ブロック層3に対応するキャップ層7及びn-クラッド層6の上部の領域に、プロトンが注入されて注入部7aが形成されている。
其他摘要	目的，其包括平坦有源层的发光区域中，提供一种半导体激光器及其制造方法包括具有在活性层##构成p型GaAs衬底1中部的下层侧上的电流狭窄功能的电流阻挡层由p-Al 0.38〜 GA 0.62 第一1P-包覆层As形成，在方式嵌入所述第一1P-包层2，上侧基板1堆叠n-GaAs的阻挡层3。其中1P-和第二2P-敷层4层叠在包层2和块层3，第二1P-包层2和阻挡层3的表面，在1P-敷层2和其附近上它是齐平的。在第一2P-包层4，铝 0.12 GA 0.88 As有源层5中，由n-Al 0.38 的镓 0.62 层叠n层包层6和n-GaAs盖层7。然后，将质子注入到盖层7的上部和与阻挡层3对应的n覆层6，以形成注入部分7a。
申请日期	1992-11-20
专利号	JP1994164062A
专利状态	失效
申请号	JP1992334999
公开（公告）号	JP1994164062A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	河野登夫
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88319
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三洋電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	松川健一,林伸彦. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994164062A[P]. 1994-06-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994164062A.PDF（40KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文