導波路共振型SHG光源とその製造方法

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	導波路共振型SHG光源とその製造方法
其他题名	導波路共振型SHG光源とその製造方法
	伊藤顕知; 川本和民; 楓弘志; 辻伸二; 井上宏明; 中塚慎一
	1993-10-08
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1993-10-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】赤外レ-ザ光を可視光に変換する導波路共振型の第二高調波発生素子の第二高調波変換効率を高め、同時に発振波長を安定化する。【構成】基板1上のエピタキシ薄膜2内に光導波部4を形成し、光導波部4に分極反転部3と回折格子5を隣接して設け、分極反転部3に半導体レーザ光を入射して第二高調波に変換し、回折格子5により半導体レーザ光(基本波)を半導体レーザ側に反射する。【効果】半導体レーザ波長が回折格子の温度変動にリンクして変化するので、半導体レーザの発振が安定化され同時に高出力化される。またレーザの高出力化により第二高調波出力も高められる。
其他摘要	用途：提高波导共振型第二高次谐波发生元件的第二高次谐波转换效率，该第二高次谐波发生元件将红外激光转换为可见光并同时稳定振荡波长。组成：光波导4形成在基板1上的外延薄膜2中，并且偏振反转部分3和衍射光栅5设置在光波导部分4的附近。半导体激光入射到偏振反转部分3并转换成第二高次谐波，衍射光栅5将半导体激光（基波）反射到半导体激光器7上。因此，半导体激光波长变化与衍射光栅5的温度变化相关联，因此半导体激光器7的振荡稳定并且其输出也同时增加。此外，由于激光器输出的增加，第二高次谐波输出增加。
申请日期	1992-03-13
专利号	JP1993257184A
专利状态	失效
申请号	JP1992054909
公开（公告）号	JP1993257184A
IPC 分类号	H01S \| H01S3/109 \| G02F1/37 \| G02F \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	高橋明夫 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88310
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	伊藤顕知,川本和民,楓弘志,等. 導波路共振型SHG光源とその製造方法. JP1993257184A[P]. 1993-10-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993257184A.PDF（127KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文