分布帰還型半導体レーザ

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	分布帰還型半導体レーザ
其他题名	分布帰還型半導体レーザ
	廣野卓夫; 玉村敏昭; 山本智子; 中野純一
	2001-01-26
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	2001-04-03
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】回折格子の設計が容易で、低閾値であり、高出力動作時でも単一モードで発振し、かつ、歩留まり良く生産できる分布帰還型半導体レーザを得る。【構成】活性層8とそれに隣接するガイド層7から形成される光導波路に回折格子を有し、両端面に無反射コート12を施してなる分布帰還型半導体レーザにおいて、前記両端面に近い2つの両側領域の回折格子4,6の周期をλg,s、中央領域での回折格子5の周期をλg,c、中央領域の長さをLcとしたときに、λg,c={(2i+1)/2m}λg,s (iとmは自然数) Lc/λg,c=m×k (kは正の奇数) \|(2i+1)/2m-1\|>0.05なる条件を満足し、かつ、中央領域の長さLcが光導波路長の10%以上で20%以下である。
其他摘要	目的：为了获得一种结构的分布式反馈半导体激光器，其中衍射光栅的设计容易，激光器的振荡阈值低，即使在高输出操作时激光器也以单一模式振荡并且可以以高产率生产激光。组成：在一种分布式反馈半导体激光器中，通过一种方法形成，其中衍射光栅设置在光波导中，该光波导由有源层8和与层8相邻的引导层7形成，并且非反射涂层12是当衍射光栅4和6在两侧的两个区域（靠近谐振器的两个端面）的周期，衍射光栅5的周期时，分别施加在谐振器的两个端面上在波导的中心区域和中心区域的长度分别假设为γ，s，lambdag，c和Lc，提供衍射光栅以满足lambdag的条件，c =（2i + 1）/ 2m } lambdag，s（（i）和（m）以及自然数。）和Lc / lambdag，c = m + k（（k）是正奇数。）\|（2i +1）/ 2m-1 \|> 0.05，并且中心区域的长度Lc形成为光波导长度的10％或更高且20％或更低。
申请日期	1993-04-26
专利号	JP3151755B2
专利状态	失效
申请号	JP1993099284
公开（公告）号	JP3151755B2
IPC 分类号	G02B \| H01S \| G02B5/18 \| H01S5/12 \| H01S5/00 \| G02B27/42
专利代理人	秋田収喜
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88255
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	廣野卓夫,玉村敏昭,山本智子,等. 分布帰還型半導体レーザ. JP3151755B2[P]. 2001-01-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3151755B2.PDF（18KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文