Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 廣野 卓夫; 大橋 弘美; 関 俊司 | |
| 1996-02-27 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 1996-02-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 変調ドーピングにより閾値が低減された状況でも効率が低下しない活性構造を有する半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 半導体レーザ装置は結晶成長基板8上に下部クラッド層7、下部ガイド層6、活性層5、上部ガイド層4、上部クラッド層3、キャップ層2を順次結晶成長させ上部電極1、下部電極9をキャップ層2および結晶成長基板8の裏面上にそれぞれ設けてなる。障壁層はZn等で1×1018cm-3以上にp型ドープし、結晶成長の基板に対し絶対値が0.1%以上の格子不整合度を有するように設定する。 |
| 其他摘要 | 提供一种具有有源结构的半导体激光器件，其中即使在通过调制掺杂降低阈值的情况下效率也不会降低。 在半导体激光器件中，下包层，下引导层，有源层，上引导层，上包层和盖层在晶体生长衬底8上依次晶体生长以形成上电极1，下部并且电极9设置在盖层2和晶体生长基板8的后表面上。阻挡层是以1×10 18 cm -3 或更大的p等掺杂Zn等，并且具有晶格失配，绝对值为0.1％它被设定为有个度。 |
| 申请日期 | 1994-08-10 |
| 专利号 | JP1996056043A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994188316 |
| 公开（公告）号 | JP1996056043A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 谷 義一 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88198 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廣野 卓夫,大橋 弘美,関 俊司. 半導体レーザ装置. JP1996056043A[P]. 1996-02-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996056043A.PDF（26KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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