Manufacture of semiconductor device

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Manufacture of semiconductor device
其他题名	Manufacture of semiconductor device
	YURI MASAAKI; OTA KAZUNARI
	1990-09-25
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1990-09-25
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To form semiconductor layer excellent in crystallizability with high reproducibility in a second crystal growth process by a method, when the second crystal growth process by MOCVD method is started, the ratio of group V material molecule supply mole number to group III material molecule mole number is made equal to or less than a specified value. CONSTITUTION:By MOCVD method, a second compound semiconductor layer 7 containing group III and group V is crystal grown on a first compound semiconductor layer 5 containing Al in the composition. In this case, when the crystal growth is started, the ratio of the group V material molecule supply mole number to the group H material molecule supply mole number is made equal to or less than 20. For example, on the N-type GaAs 1 the following are grown; an N-type GaAs buffer layer 2, an N-type AlyGa1-yAs clad layer 3, an AlxGa1-xAs active layer 4, a P-type AlyGa1-yAs clad layer 5, and an N-type GaAs current blocking layer 6. A trench reaching the P-type AlyGa1-y As clad layer 5 is formed. By the second crystal growth process, a P-type AlyGa1-yAs clad layer 7 and a P-type GaAs cap layer 8 are grown, and the second crystal growth process is started in the above-mentioned manner.
其他摘要	目的：通过一种方法在第二次晶体生长过程中形成具有优异结晶性和高再现性的半导体层，当通过MOCVD方法开始第二次晶体生长过程时，第V族材料分子供应摩尔数与第III族材料分子摩尔数之比数字等于或小于指定值。组成：通过MOCVD方法，在组合物中含有Al的第一化合物半导体层5上晶体生长含有III族和V族的第二化合物半导体层7。在这种情况下，当晶体生长开始时，V族材料分子供应摩尔数与H族材料分子供应摩尔数的比率等于或小于20.例如，在N型GaAs 1上以下是成长的; N型GaAs缓冲层2，N型AlyGa1-yAs包覆层3，AlxGa1-xAs活性层4，P型AlyGa1-yAs包覆层5和N型GaAs电流阻挡层6。形成到达P型AlyGa1-y As包层5的沟槽。通过第二晶体生长工艺，生长P型AlyGa1-yAs包覆层7和P型GaAs盖层8，并且以上述方式开始第二晶体生长工艺。
申请日期	1989-03-15
专利号	JP1990241028A
专利状态	失效
申请号	JP1989062497
公开（公告）号	JP1990241028A
IPC 分类号	H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88159
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	YURI MASAAKI,OTA KAZUNARI. Manufacture of semiconductor device. JP1990241028A[P]. 1990-09-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990241028A.PDF（119KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文