Manufacture of semiconductor laser

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	Manufacture of semiconductor laser
其他题名	Manufacture of semiconductor laser
	ASAGA TATSUYA
	1991-05-29
专利权人	SEIKO EPSON CORP
公开日期	1991-05-29
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To achieve an active layer and a window region with improved crystallizability with enhanced reproducibility and obtain a sharp interface by limiting a substrate temperature and a growth pressure within a specific range during growth of an activation layer consisting of a III-V compound semiconductor using the organic metal chemical vapor growth method. CONSTITUTION:An n-type GaAs buffer layer 103, an n-type Al0.4Ga0.6As clad layer 104, an Al0.15Ga0.85As clad layer 109, a p-type Al0.4Ga0.6As clad layer 105, and a p-type GaAs contact layer 106 are lamination-formed in sequence on an n-type GaAs substrate 102 by the organic metal chemical vapor growth method. When forming an active layer, ultraviolet-rays are applied to a region near the end face of an equipment for resonance and a window region 110 with a mixed crystal composition ratio which is different from that of an active layer is formed. While the active layer is growing, the substrate temperature may be 500 deg.C to 900 deg.C for obtaining a proper crystal but may be approximately 700 deg.C to achieve the best crystallizability. Also, a sharp interface without any practical problems can be obtained at 1Torr or more and 300Torr or less.
其他摘要	目的：通过在由III-V族化合物半导体组成的活化层生长期间将衬底温度和生长压力限制在特定范围内，以获得具有改善的可结晶性和增强的再现性并获得清晰界面的活性层和窗口区域有机金属化学气相生长法。组成：n型GaAs缓冲层103，n型Al0.4Ga0.6As包层104，Al0.15Ga0.85As包层109，p型Al0.4Ga0.6As包层105和p通过有机金属化学气相生长方法在n型GaAs衬底102上依次层叠形成GaAs接触层106。当形成有源层时，紫外线被施加到用于谐振的设备的端面附近的区域，并且形成具有与有源层的混合晶体组成比不同的混合晶体组成比的窗口区域110。当有源层生长时，衬底温度可以是500℃至900℃以获得合适的晶体，但可以是约700℃以获得最佳的可结晶性。而且，在1Torr或更高且300Torr或更低的情况下，可以获得没有任何实际问题的尖锐界面。
申请日期	1989-10-12
专利号	JP1991126285A
专利状态	失效
申请号	JP1989265654
公开（公告）号	JP1991126285A
IPC 分类号	H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88140
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEIKO EPSON CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	ASAGA TATSUYA. Manufacture of semiconductor laser. JP1991126285A[P]. 1991-05-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1991126285A.PDF（143KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文