III-V族系窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法

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	III-V族系窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法
其他题名	III-V族系窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法
	津田有三; 毛利裕一
	2005-04-07
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2005-04-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】窒化物半導体レーザ素子の長期信頼性を向上させる。【解決手段】基板と、前記基板上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられたクラッド層と、前記基板上であってかつ前記発光層またはクラッド層の両側面に接して設けられた埋め込み層とを有し、前記埋め込み層がリン原子またはヒ素原子を20%以下の原子分率で含むIII-V族系窒化物半導体レーザ素子とする。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提高氮化物半导体激光元件的长期可靠性。解决方案：III-V族氮化物半导体激光器元件包括基板，设置在基板上的发光层，设置在发光层上的包层，以及设置在基板上与相对的侧面接触的掩埋层。发光层或包层，其中埋层含有磷原子或砷原子，原子分数≤20％。 Ž
申请日期	2003-09-19
专利号	JP2005093936A
专利状态	失效
申请号	JP2003328737
公开（公告）号	JP2005093936A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/323 \| H01S5/00
专利代理人	大前要
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88039
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	津田有三,毛利裕一. III-V族系窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2005093936A[P]. 2005-04-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2005093936A.PDF（84KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文