Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 東條 剛; 浅野 竹春 | |
| 1999-01-29 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1999-01-29 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 エッチング停止層による光場の偏りを矯正することができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 p型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層8上に、p型Gay In1-y Pエッチング停止層9を介してp型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層10を設けた埋め込みリッジ型のAlGaInP系の半導体レーザにおいて、n型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層2,4の間にn型Gau In1-u P光場矯正層3を設ける。n型Gau In1-u P光場矯正層3の屈折率、禁制帯幅および厚さを、それぞれ、p型Gay In1-y Pエッチング停止層9の屈折率、禁制帯幅および厚さと等しくし、n型Gau In1-u P光場矯正層3を、活性層6に対してp型Gay In1-y Pエッチング停止層9と対称となる位置に設ける。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体激光器，其能够通过蚀刻停止层来校正光场的偏置并提供制造方法。解决方案：n型高压In1-u P光场校正层3设置在埋藏脊的半导体层中的n型（Al0.7 Ga0.3）0.5和In0.5P包层2和4之间 - 型AlGaInP系统，其中p型（Al0.7Ga0.3）0.5In0.5P包层10设置在p型（Al0.7Ga0.3）0.5In0.5P包层8上，通过p型Gay In1-y P蚀刻停止层9.将n型Gau In1-y P光场校正层3的折射率，禁带宽度和厚度设定为等于p-的值。类型为Gay In1-y P蚀刻停止层9，并且n型Gay In1-y P光场校正层3设置在与p型Gay In1-y P蚀刻停止层9对称的位置上活动层6。 |
| 申请日期 | 1997-07-04 |
| 专利号 | JP1999026868A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997179709 |
| 公开（公告）号 | JP1999026868A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88033 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東條 剛,浅野 竹春. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1999026868A[P]. 1999-01-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999026868A.PDF（80KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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