Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| DONARUDO II AKUREI | |
| 1982-03-27 | |
| 专利权人 | YOKOGAWA HIYUURETSUTO PATSUKAADO KK |
| 公开日期 | 1982-03-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain a semiconductor laser formed with a strip having a tapered by part diffusing an impurity in one surface of a plurality of semiconductor substance layers containing active region. CONSTITUTION:Mirror surfaces 102, 104 are formed on a plurality of semiconductor substance layers containing an active region 204. An impurity is diffused in one surface of the semiconductor substance layer, thereby forming a strip 108 with taper. The narrow width part 120 of the strip is controlled in lateral mode, the wide parts 116, 118 provide low current density threshold value for laying, thereby enabling to operate with high output power. The tapered part can prevent the conversion of fundamental transverse mode to high order mode. |
| 其他摘要 | 目的：获得一种半导体激光器，该半导体激光器由具有锥形部分的条带形成，该部分在包含有源区的多个半导体物质层的一个表面中扩散杂质。组成：镜面102,104形成在包含有源区204的多个半导体物质层上。杂质在半导体物质层的一个表面中扩散，从而形成具有锥形的条108。条带的窄宽度部分120以横向模式控制，宽部分116,118提供用于铺设的低电流密度阈值，从而能够以高输出功率操作。锥形部分可以防止基本横向模式转换为高阶模式。 |
| 申请日期 | 1981-07-20 |
| 专利号 | JP1982052186A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1981113424 |
| 公开（公告）号 | JP1982052186A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01S5/10 | H01S5/16 | H01S5/20 | H01S3/08 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87994 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | YOKOGAWA HIYUURETSUTO PATSUKAADO KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | DONARUDO II AKUREI. Semiconductor laser. JP1982052186A[P]. 1982-03-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1986051770U.PDF（48KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [DONARUDO II AKUREI]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [DONARUDO II AKUREI]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [DONARUDO II AKUREI]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论