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3族窒化物半導体レーザ素子
其他题名3族窒化物半導体レーザ素子
小出 典克; 小池 正好; 山崎 史郎; 永井 誠二; 赤崎 勇; 天野 浩
1998-06-19
专利权人TOYODA GOSEI CO LTD
公开日期1998-06-19
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】単一モード光を発振する3族窒化物半導体レーザ素子を提供すること。 【解決手段】3族窒化物半導体レーザ素子において、活性層5より発光した光が伝搬するn型クラッド層4とp型クラッド層とに挟まれた領域内に回折格子を形成した。回折格子はブラッグ波長の光だけを活性層に帰還させるので、その結果このレーザ素子が発光する光は単一モード光となった。
其他摘要要解决的问题:通过在夹在包层或区域之间的区域中形成衍射光栅以仅传播从有源层发射的光,仅将单模布拉格波长的光反馈到有源层。解决方案:在蓝宝石衬底1上依次形成缓冲层2,Si掺杂的GaN n型层3,Si掺杂的n型AlGaN包层4和Si掺杂的n型GaN引导层41在层4和41之间的边界上形成衍射光栅。由层41形成由阻挡层51,阱层52和阻挡层53形成的单量子阱结构的有源层5。从层5发射的光传播到夹在层4之间的区域。光栅设置在该区域中,因此只有根据光栅周期决定的布拉格波长的光被反馈到层5。只有波长的单模光可以反馈到层5。
申请日期1996-12-04
专利号JP1998163577A
专利状态失效
申请号JP1996340511
公开(公告)号JP1998163577A
IPC 分类号H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/12 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01L33/00
专利代理人藤谷 修
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87956
专题半导体激光器专利数据库
作者单位TOYODA GOSEI CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
小出 典克,小池 正好,山崎 史郎,等. 3族窒化物半導体レーザ素子. JP1998163577A[P]. 1998-06-19.
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