超低圧金属-有機蒸気相エピタキシ方法によるII-VI半導体化合物の製造方法

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	超低圧金属-有機蒸気相エピタキシ方法によるII-VI半導体化合物の製造方法
其他题名	超低圧金属-有機蒸気相エピタキシ方法によるII-VI半導体化合物の製造方法
	タスカーニキルアール; ドールマンドナルドアール; ギャラガーデニス
	2002-05-21
专利权人	フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
公开日期	2002-05-21
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	Semiconductor compounds and a method for producing the same are provided wherein a method for growing at least one epitaxial layer of a II-VI semiconductor compound using MOVPE is used, the method including the steps of subjecting a substrate to organometallic and hydride precursor compounds in a MOVPE reactor at ultra low pressure, i.e. a pressure in the range of about 10 to 1 mTorr, whereby the organometallic and hydride precursor compounds react at a substrate surface without substantial reaction in the gas phase. The epitaxial layers and semiconductor compounds are useful in blue laser devices.
其他摘要	提供半导体化合物及其制备方法，其中使用使用MOVPE生长II-VI半导体化合物的至少一个外延层的方法，该方法包括使基底经受有机金属和氢化物前体化合物的步骤。MOVPE反应器在超低压下，即在约10至1毫托的压力范围内，由此有机金属和氢化物前体化合物在基板表面反应而在气相中基本没有反应。外延层和半导体化合物可用于蓝色激光器件。
申请日期	1996-04-17
专利号	JP2002514997A
专利状态	失效
申请号	JP1996535524
公开（公告）号	JP2002514997A
IPC 分类号	H01L \| C30B25/16 \| H01S5/00 \| C30B29/48 \| H01L21/365 \| H01S5/327 \| H01L33/00 \| C30B25/02 \| C30B
专利代理人	杉村暁秀 (外6名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87919
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
推荐引用方式 GB/T 7714	タスカーニキルアール,ドールマンドナルドアール,ギャラガーデニス. 超低圧金属-有機蒸気相エピタキシ方法によるII-VI半導体化合物の製造方法. JP2002514997A[P]. 2002-05-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2002514997A.PDF（110KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文