半導体レーザ装置

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ装置
其他题名	半導体レーザ装置
	大林健; 工藤裕章; 猪口和彦; 菅原聰; 八木久晴; 伊藤茂稔
	1995-04-07
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	1995-04-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】酸化防止層の表面欠陥やオーバーエッチング等に起因する素子作製不良の発生確率を低減させて高性能な素子を歩留り良く作製する。【構成】第2クラッド層105と酸化防止層107の間に活性層104より禁制帯幅が大きく第2クラッド層105よりAlの混晶比が低いエッチング防止層106を設けたので、ストライプ状溝部112の形成のためにAlの混晶比の高い層を選択的にエッチングして第2クラッド層105を除去する工程において、酸化防止層107が部分的に表面欠陥やオーバーエッチング等が原因で除去されたとしても、露出するのはAl混晶比の低いエッチング防止層106であり、この層でエッチングは止まりエッチングストップ層108までエッチング液が達してエッチングが行われてしまうようなことはない。また、エッチング防止層106が露出しても酸化は比較的抑えられて、容易に第2回目の膜成長が行えて、素子特性や寿命への悪影響も低減される。
其他摘要	目的：通过降低由氧化防止层的表面缺陷，过蚀刻等引起的元件制造失效的发生概率，制造具有提高产量的高性能元件。组成：在第二包层105和防氧化层之间设置防蚀带宽大于有源层104的防蚀层106和比第二复合层105的Al低的混合晶体比的防蚀层106如图107所示，即使由于表面缺陷，过蚀刻等而消除了氧化防止层107，部分地在通过选择性蚀刻去除第二覆层105的工艺中，具有较低Al混晶比的蚀刻防止层106也被暴露。用于形成条形槽部分112的具有较高Al的混晶比的层。蚀刻在该层处停止，从而防止蚀刻液到达用于蚀刻的蚀刻停止层108。而且，即使暴露蚀刻防止层10，也可以相对地抑制氧化，因此容易进行第二膜生长并减少对元件特性和寿命的不良影响。
申请日期	1993-09-21
专利号	JP1995094824A
专利状态	失效
申请号	JP1993235102
公开（公告）号	JP1995094824A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/223 \| H01S3/18
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87829
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	大林健,工藤裕章,猪口和彦,等. 半導体レーザ装置. JP1995094824A[P]. 1995-04-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995094824A.PDF（86KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文