Manufacture of semiconductor laser

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	Manufacture of semiconductor laser
其他题名	Manufacture of semiconductor laser
	JINDOU MASAAKI
	1986-03-04
专利权人	NEC CORP
公开日期	1986-03-04
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain the titled device of buried type with high yield and good mass productivity by a method wherein a DH structural crystal is formed at a time of vapor phase growth and etched into grooves penetrating through the active layer, and a current block layer is provided in the part other than the mesa top; thereafter, a connection layer is epitaxially grown in vapor phase over the whole surface. CONSTITUTION:An N-Al0.4Ga0.6As 2, an N-Al0.3Ga0.7As 3, a GaAs active layer 4, a P-Al0.4Ga0.6As 5, and a P-GaAs 5 are laminated on an N-GaAs substrate 1 by MOCVD. The grooves 11 penetrating through the active layer 4 are etched by using an SiO2 12 and a photo resist 15 as a mask. After a high-resistant Al0.4Ga0.6As current block layer 7 is formed by removing the mask 13, electrodes 9 and 10 are attached to the flat surface by removal of the mask 12 and thick formation of a P-GaAs 8. This construction strengthens the refractive index guide of the lateral mode of laser beams and yields stable basic lateral mode oscillation, having good efficiency with low oscillation threshold values because of the structure of effective current stricture of small astigmatism. Besides, this device can be manufactured with high yield by adoption of MOCVD and easy control of etching.
其他摘要	目的：通过在气相生长时形成DH结构晶体并蚀刻成穿透有源层的沟槽的方法，获得具有高产率和良好质量生产率的埋入式标题器件，并且电流阻挡层是在台面顶部以外的部分提供;此后，在整个表面上以气相外延生长连接层。组成：N-Al0.4Ga0.6As 2，N-Al0.3Ga0.7As 3，GaAs活性层4，P-Al0.4Ga0.6As 5和P-GaAs 5层压在N通过MOCVD的GaAs衬底1。通过使用SiO 2 12和光致抗蚀剂15作为掩模来蚀刻穿透有源层4的凹槽11。在通过去除掩模13形成高电阻Al0.4Ga0.6As电流阻挡层7之后，通过去除掩模12和厚的P-GaAs8形成电极9和10连接到平坦表面。由于小散光的有效电流限制结构，增强了激光束横向模式的折射率引导并产生稳定的基本横向模式振荡，具有低振荡阈值的良好效率。此外，通过采用MOCVD和易于控制蚀刻，可以高产率地制造该器件。
申请日期	1984-08-08
专利号	JP1986044484A
专利状态	失效
申请号	JP1984165954
公开（公告）号	JP1986044484A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87769
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	JINDOU MASAAKI. Manufacture of semiconductor laser. JP1986044484A[P]. 1986-03-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986044484A.PDF（211KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文