Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 太田 征孝; 津田 有三 | |
| 2009-03-19 | |
| 专利权人 | SHARP CORP |
| 公开日期 | 2009-03-19 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】発光波長430〜580nmの窒化物半導体レーザ素子において、活性層への光閉じ込め効率が向上され、より高い発光効率を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】n型クラッド層と、IneGafN(e+f=1)からなる井戸層および、障壁層から構成される活性層と、p型クラッド層と、を含み、発光波長が430nm以上580nm以下である窒化物半導体レーザ素子であって、該n型クラッド層と該活性層との間に、実質的に不純物を含まないInaGabN(a+b=1)の単層からなり、層厚が0.02〜0μmであるn側光ガイド層を備え、該n側光ガイド層のIn組成比aは、該井戸層のIn組成比より小さく、かつ0.00 |
| 其他摘要 | 种类代码：A1具有430至580nm的发射波长的氮化物半导体激光器元件在有源层中具有改善的光限制效率，并且具有更高的发射效率。
包括n型包覆层的有源层，包含In e Ga f N（e + f = 1）的阱层和阻挡层和p型包覆层，其中发光波长为430nm或更大且580nm或更小，并且其中在n型包覆层和活性层之间，基本上不含杂质侧光导层包括单层In a Ga b N（a + b = 1）并且具有0.02至0μm的层厚度， n侧导光层的In组成比a小于阱层的In组成比，并且满足0.00 |
| 申请日期 | 2007-08-30 |
| 专利号 | JP2009059797A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2007224322 |
| 公开（公告）号 | JP2009059797A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 深見 久郎 | 森田 俊雄 | 仲村 義平 | 堀井 豊 | 野田 久登 | 酒井 將行 | 荒川 伸夫 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87761 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田 征孝,津田 有三. 窒化物半導体レーザ素子. JP2009059797A[P]. 2009-03-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2009059797A.PDF（190KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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