Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Injection laser manufacture | |
| 其他题名 | Injection laser manufacture |
| GREENE, PETER D.; TURLEY, STEPHEN E. H. | |
| 1985-04-09 | |
| 专利权人 | INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION 320 PARK AVE., NEW YORK, NY 10022 A CORP. OF DE |
| 公开日期 | 1985-04-09 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A method of making a channel substrate buried heterostructure InP/(In,Ga)(As,P) laser avoids the need to use two separate stages of epitaxial growth by using a channel in a (100) surface substrate 1 extending in the [011] direction with {111}B sides. This allows the channel to be made before the growth of an (In,Ga)(As,P) blocking layer 3 which can be grown under conditions which do not require the use of a mask to prevent nucleation on the channel sides. The same technique is also applicable to the manufacture of a terraced substrate laser incorporating a blocking layer. |
| 其他摘要 | 制造沟道衬底掩埋异质结构InP /（In，Ga）（As，P）激光器的方法通过使用在[011]中延伸的（100）表面衬底1中的沟道避免了使用两个单独的外延生长阶段的需要。] {111} B侧的方向。这允许在（In，Ga）（As，P）阻挡层3生长之前制造沟道，其可以在不需要使用掩模的条件下生长以防止沟道侧上的成核。相同的技术也适用于制造包含阻挡层的梯形衬底激光器。 |
| 申请日期 | 1983-06-24 |
| 专利号 | US4509996 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US06/508293 |
| 公开（公告）号 | US4509996 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/223 | H01S5/24 | H01L21/208 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | O'HALLORAN, JOHN T. RUZEK, PETER R. |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87700 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION 320 PARK AVE., NEW YORK, NY 10022 A CORP. OF DE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | GREENE, PETER D.,TURLEY, STEPHEN E. H.. Injection laser manufacture. US4509996[P]. 1985-04-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US4509996.PDF（119KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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