窒化物半導体素子

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	窒化物半導体素子
其他题名	窒化物半導体素子
	長濱慎一; 妹尾雅之; 中村修二
	2002-11-29
专利权人	日亜化学工業株式会社
公开日期	2003-02-10
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】電力効率のよい窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 1又は多層のn型窒化物半導体層と1又は多層のp型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記p型窒化物半導体層及び前記n型窒化物半導体層の内の少なくとも一つは超格子層であって、前記超格子層は、100オングストローム以下の膜厚を有する窒化物半導体からなる第1の層と、該第1の層と組成が異なりかつ100オングストローム以下の膜厚を有する窒化物半導体からなる第2の層とが積層されている。
其他摘要	要解决的问题：为了提高氮化物半导体元件的功率效率，通过将P型氮化物半导体层中的至少一个形成为超晶格层的方法。解决方案：该氮化物半导体元件的基本结构是结构的LED元件的基本结构，其中缓冲层2由GaN层组成，N侧接触层3由N型Si掺杂的GaN层组成，由单量子阱结构的InGaN层构成的有源层4，由通过层叠第一层和第二层形成的超晶格层构成的P侧包层5，其组成彼此不同，以及P侧在由蓝宝石构成的基板1上依次层叠由Mg掺杂的GaN层构成的接触层。当构成超晶格层的第一层和第二层的膜厚度大于100＆ampst时，第一层和第二层的弹性应变超过弹性应变的极限，并且当微裂纹或晶体缺陷变为易于在第一层和第二层的薄膜中形成，优选薄膜厚度设定为薄于100埃且厚度的薄膜厚度。
申请日期	1997-12-16
专利号	JP3374737B2
专利状态	失效
申请号	JP1997364012
公开（公告）号	JP3374737B2
IPC 分类号	H01L33/36 \| H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/06 \| H01L33/12 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	豊栖康弘 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87669
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日亜化学工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	長濱慎一,妹尾雅之,中村修二. 窒化物半導体素子. JP3374737B2[P]. 2002-11-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3374737B2.PDF（92KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文