Uniaxial mode semiconductor laser

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	Uniaxial mode semiconductor laser
其他题名	Uniaxial mode semiconductor laser
	FUJITA SADAO; YAMAGUCHI MASAYUKI
	1989-11-24
专利权人	NEC CORP
公开日期	1989-11-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To assure stable uniaxial mode oscillation without causing oscillation of a TM mode even with anti-reflecting coating by forming a metal film on part of an optical waveguide including an active layer in the vicinity of the wavelength. CONSTITUTION:After a first order diffraction grating 12 including a phase shift region 10 is formed on an n type InP board 13, on which there are successively grown a guide layer 14, an active layer 1, a cladding layer 2, and a cap layer 3. In a mode filter region 9 for restricting a TM mode, the cap layer 3 and part of the cladding layer 2 are etched a and after a SiO2 film 4 is formed on the region 9, a first electrode 5 is attached to the region 9. The region further has an anti-reflecting coating film 8 on both ends. In the mode filter region 9, since the electrode 5 is located in the close vicinity of the active layer 1, the TM mode with an electric component perpendicular to the electrode 5 among modes propagating in the optical waveguide 7 is attenuated. Further, since a TE mode is parallel to the electrode 5, it can propagate through the optical waveguide 7 substantially without any attenuation. Thus, the TE mode has very high gain and hence an optical output 11 assures stable uniaxial TE mode oscillation.
其他摘要	用途：通过在包括波长附近的有源层的光波导的一部分上形成金属膜，即使通过抗反射涂层也能确保稳定的单轴模式振荡，而不会引起TM模式的振荡。组成：在n型InP板13上形成包括相移区10的一阶衍射光栅12后，在该板上连续生长有引导层14，有源层1，包层2和盖层在用于限制TM模式的模式滤波器区域9中，对盖层3和包层2的一部分进行蚀刻，并且在区域9上形成SiO 2膜4之后，将第一电极5连接到该区域。该区域在两端还具有抗反射涂层膜8。在模式滤波器区域9中，由于电极5位于有源层1附近，因此在光波导7中传播的模式中具有垂直于电极5的电分量的TM模式被衰减。此外，由于TE模式与电极5平行，所以它可以基本上没有任何衰减地通过光波导7传播。因此，TE模式具有非常高的增益，因此光输出11确保稳定的单轴TE模式振荡。
申请日期	1988-05-19
专利号	JP1989291483A
专利状态	失效
申请号	JP1988123099
公开（公告）号	JP1989291483A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S5/12 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87659
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	FUJITA SADAO,YAMAGUCHI MASAYUKI. Uniaxial mode semiconductor laser. JP1989291483A[P]. 1989-11-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1989291483A.PDF（159KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文