Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	TSUNEKAWA YOSHIFUMI
	1990-02-02
专利权人	SEIKO EPSON CORP
公开日期	1990-02-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain high output and low noise characteristics by having a structure which allows an optical density to decrease in an active layer located at end faces of a resonator. CONSTITUTION:An n-type GaAs buffer layer 102, an n-type AlGaAs first clad layer 103, an active layer 104, a p-type AlGaAs second clad layer 105, a p-type GaAs contact layer 106 are laminated one after another to form a double hetero junction structure on an n-type GaAs substrate 10 After that, a polycrystal growth mask 111 is formed on the surface of the substrate. Then, the mask 111 is patterned in the form indicated by slanting lines, and further, each part of layers 106 and 105 is removed by etching. Further, II-VI compound semiconductor layers, for example, a ZnSe layer 107 is laminated on the whole surface of a wafer. In such a case, polycrystal ZnSe layers 112 grow on the upper parts of ribs and yet, single crystal layers 107 grow on the other parts. Then, the layers 112 are removed by etching to flatten the surface of the substrate. Subsequently, a dielectric thin film is formed on the whole surface of a wafer and other parts with exception of slanted parts 112 are removed by etching.
其他摘要	目的：通过具有允许光密度在位于谐振器端面的有源层中减小的结构来获得高输出和低噪声特性。组成：一个接一个地层叠n型GaAs缓冲层102，n型AlGaAs第一包层103，有源层104，p型AlGaAs第二包层105，p型GaAs接触层106在n型GaAs衬底101上形成双异质结结构。之后，在衬底表面上形成多晶生长掩模111。然后，掩模111以斜线所示的形式被图案化，并且通过蚀刻去除层106和105的每个部分。此外，II-VI化合物半导体层，例如ZnSe层107层叠在晶片的整个表面上。在这种情况下，多晶ZnSe层112在肋的上部生长，而单晶层107在其他部分上生长。然后，通过蚀刻去除层112以使基板的表面变平。随后，在晶片的整个表面上形成电介质薄膜，并且通过蚀刻去除除倾斜部分112之外的其他部分。
申请日期	1988-07-21
专利号	JP1990032585A
专利状态	失效
申请号	JP1988182417
公开（公告）号	JP1990032585A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87648
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEIKO EPSON CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	TSUNEKAWA YOSHIFUMI. Semiconductor laser. JP1990032585A[P]. 1990-02-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990032585A.PDF（194KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文