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Semiconductor diode lasers with thermal sensor control of the active region temperature
其他题名Semiconductor diode lasers with thermal sensor control of the active region temperature
CONNOLLY, JOHN CHARLES; GARBUZOV, DMITRI ZALMANOVICH; KHALFIN, VIKTOR BORISOVICH; MAIOROV, MIKHAIL ALEXANDOVICH
2000-11-10
专利权人SARNOFF CORPORATION
公开日期2000-11-10
授权国家澳大利亚
专利类型发明申请
摘要A semiconductor diode laser with thermal sensor control comprises a heat sink, a diode-laser structure, and a thermal sensor thermally coupled to said diode-laser structure in a place where the temperature gradient across the semiconductor diode laser is close to zero.
其他摘要具有热传感器控制的半导体二极管激光器包括散热器,二极管激光器结构,以及热耦合到所述二极管激光器结构的热传感器,其中半导体二极管激光器上的温度梯度接近零。
申请日期2000-04-17
专利号AU2000068880A1
专利状态失效
申请号AU2000068880
公开(公告)号AU2000068880A1
IPC 分类号H01S5/024 | H01S5/068 | H01S5/00
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87623
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SARNOFF CORPORATION
推荐引用方式
GB/T 7714
CONNOLLY, JOHN CHARLES,GARBUZOV, DMITRI ZALMANOVICH,KHALFIN, VIKTOR BORISOVICH,et al. Semiconductor diode lasers with thermal sensor control of the active region temperature. AU2000068880A1[P]. 2000-11-10.
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