半導体装置及びその製造方法

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	半導体装置及びその製造方法
其他题名	半導体装置及びその製造方法
	古川千里; 松山隆之
	1996-07-02
专利权人	東芝電子エンジニアリング株式会社
公开日期	1996-07-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【目的】半導体レーザのように表面に段差のある素子に自転,公転等の複雑高価な機構を含まない簡単な装置で大電流を流し得る電極や配線を形成する。【構成】ストライプ状の活性層10、これに電流を注入するオーミックコンタクトになる電極12、これに接続する引き出し電極13、引き出し電極のボンディングパッド部14及びこれと電極13とを接続する配線部を基板上に形成した半導体レーザにおいて、ストライプの両側に溝を掘り側面を絶縁膜で被覆して注入電流を閉じ込める。つぎに指向性の高い電子ビーム蒸着装置を用い、上方又は斜め上方から金属粒子を照射する簡単な方法で電極と配線部分を形成する。その際、素子表面の電気的に接続したい部分は蒸発源を望めるように順メサ斜面で電極間をつなぎ、分離したい部分は逆メサ斜面で蒸発源に対して遮蔽して、自己整合的に分離や接続の構造を作る。
其他摘要	目的：在一个像半导体激光器这样的表面上具有底切的元件中，形成一个能够在一个简单装置中流动大电流的电极或电线，该装置不包含复杂和昂贵的旋转，旋转等机构。组成：半导体激光器形成在具有条纹有源层10的基板上，电极12是在其上注入电流的欧姆接触，用于与其连接的引出电极13，引线的焊盘部分14-电极和用于连接电极13的导线部分。在条纹的两侧钻有凹槽，侧表面涂有绝缘薄膜，注入的电流受到限制。接下来，通过使用具有高取向的电子束蒸发器，通过从向上或向上向上照射金属颗粒的简单方法形成电极和线部分。此时，希望在元件表面上电连接的部分连接在前台面倾斜表面上的电极之间，以便看到蒸发源，并且在反向台面倾斜上屏蔽待分离的部分用于蒸发源。表面，制作分离结构或自对准连接。
申请日期	1994-12-15
专利号	JP1996172242A
专利状态	失效
申请号	JP1994333892
公开（公告）号	JP1996172242A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/227 \| H01S5/343 \| H01S5/042 \| H01S5/02 \| H01L21/60 \| H01S3/18
专利代理人	竹村壽
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87592
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	東芝電子エンジニアリング株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	古川千里,松山隆之. 半導体装置及びその製造方法. JP1996172242A[P]. 1996-07-02.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996172242A.PDF（117KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文