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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008244454A, 申请日期: 2008-10-09, 公开日期: 2008-10-09
发明人:  田中 明;  岡田 眞琴;  松山 隆之
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氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1949606A, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2007-04-18
发明人:  松山隆之;  小野村正明
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リッジ導波型半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000012966A, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-01-14
发明人:  松山 隆之
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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997283838A, 申请日期: 1997-10-31, 公开日期: 1997-10-31
发明人:  松山 隆之
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埋込み型半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2644998B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-25
发明人:  田中 明;  松山 隆之
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2609776B2, 申请日期: 1997-02-13, 公开日期: 1997-05-14
发明人:  松山 隆之
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半導体装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996172242A, 申请日期: 1996-07-02, 公开日期: 1996-07-02
发明人:  古川 千里;  松山 隆之
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半導体レ-ザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993167194A, 申请日期: 1993-07-02, 公开日期: 1993-07-02
发明人:  木下 順一;  松山 隆之
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半導体レ-ザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993029703A, 申请日期: 1993-02-05, 公开日期: 1993-02-05
发明人:  松山 隆之
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