Buried semiconductor laser and manufacture thereof

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	Buried semiconductor laser and manufacture thereof
其他题名	Buried semiconductor laser and manufacture thereof
	NISHIDA TOSHIO; SUGIURA HIDEO; TAMAMURA TOSHIAKI
	1992-10-20
专利权人	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期	1992-10-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To provide a semiconductor laser by a method wherein a semiconductor laminate is formed so as to fill a groove provided with a plane pattern in stripes. CONSTITUTION:A semiconductor layer 2 is formed on a semiconductor substrate Then, a semiconductor substrate body 9 provided with the semiconductor substrate 1 and a semiconductor layer 8 is formed. In succession, a groove 12 provided with a stripe-like plane pattern is provided to the semiconductor substrate body 9, and a semiconductor region 6 is formed. A semiconductor clad layer 21, a semiconductor guide layer 22, a semiconductor active layer 23, a semiconductor guide layer 24, and a semiconductor clad layer 25 are successively laminated on the semiconductor substrate body 9 to constitute a semiconductor laminate 20, where the semiconductor laminate 20 is formed so as to nearly fill the groove 12. In succession, a mask layer 10 is removed from the semiconductor substrate body 9, and then a protective film 30 is provided. Then, electrode layers 34 and 35 are formed on the protective film 30.
其他摘要	用途：通过一种方法提供半导体激光器，其中形成半导体叠层以便填充具有条纹平面图案的凹槽。组成：在半导体衬底1上形成半导体层2.然后，形成设置有半导体衬底1和半导体层8的半导体衬底本体9。接着，在半导体基板主体9上设置具有条纹状的平面图案的槽12，形成半导体区域6。半导体覆层21，半导体引导层22，半导体有源层23，半导体引导层24和半导体覆层25依次层叠在半导体衬底本体9上以构成半导体叠层20，其中半导体叠层形成图20所示的结构，以便几乎填充沟槽12.接着，从半导体衬底本体9上除去掩模层10，然后提供保护膜30。然后，在保护膜30上形成电极层34和35。
申请日期	1991-03-25
专利号	JP1992296078A
专利状态	失效
申请号	JP1991084695
公开（公告）号	JP1992296078A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87549
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	NISHIDA TOSHIO,SUGIURA HIDEO,TAMAMURA TOSHIAKI. Buried semiconductor laser and manufacture thereof. JP1992296078A[P]. 1992-10-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992296078A.PDF（212KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文