Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 新田 康一; 板谷 和彦; 岡島 正季; 波多腰 玄一; 中村 優; 西川 幸江; 菅原 秀人 | |
| 1993-09-21 | |
| 专利权人 | TOSHIBA CORP |
| 公开日期 | 1993-09-21 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 サージ耐圧が大きい半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 GaAs基板上101に複数の半導体薄膜102〜110を積層し、これらの薄膜内に活性領域を形成すると共に、光の導波方向に共振器端面を形成した半導体レーザ装置において、GaAs基板101の面方位を(100)から〈01-1〉方向に5°傾けることにより、端面破壊光出力よりも低い光出力で光導波モード(光モード或いは横モード9を変形させ、端面破壊に至る電流値を上昇させたことを特徴とする。 |
| 其他摘要 | 用途：通过比端面击穿光输出更低的光输出使光波导模式变形，并提高达到端面击穿的电流值，以防止端面损坏并增加浪涌电阻。组成：多个半导体薄膜102-110层叠在半导体基板101上，有源区形成在薄膜中，谐振器端面沿光波导向方向形成。在该半导体激光器中，光学模式或横向模式通过比损坏光学输出端面的光学输出低的光学输出而变形，以提高达到端面损坏的电流值。光学模式或横向模式是在激光振荡时形成的光波导模式。作为使模式变形的手段，半导体衬底的表面方向在3-15度从方向（100）倾斜到方向。当用于使横向模式变形的光学输出Pk模式较低时与损坏光输出Pc的端面相比，用于使端面损坏的电流Ic比浪涌电流Is大，从而防止损坏端面。 |
| 申请日期 | 1992-02-27 |
| 专利号 | JP1993243666A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992040878 |
| 公开（公告）号 | JP1993243666A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87515 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 新田 康一,板谷 和彦,岡島 正季,等. 半導体レーザ装置. JP1993243666A[P]. 1993-09-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993243666A.PDF（66KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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